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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢...
2024-04-07
測試共源 氮化鎵 FET
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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CITE2024即將拉開帷幕，搶先一睹電子信息產(chǎn)業(yè)的未來趨勢
伴隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、5G、云計算等數(shù)字技術(shù)的快速發(fā)展與廣泛應(yīng)用，數(shù)字經(jīng)濟(jì)已成為驅(qū)動經(jīng)濟(jì)增長和社會進(jìn)步的關(guān)鍵力量。今年的《政府工作報告》更是明確提出，要深入推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新發(fā)展。制定支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展政策，積極推進(jìn)數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化，促進(jìn)數(shù)字技術(shù)和實體經(jīng)濟(jì)深度融合。
2024-04-07
意法半導(dǎo)體 電子信息產(chǎn)業(yè) 人工智能 大數(shù)據(jù) 5G 云計算
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ST 通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開發(fā)者的創(chuàng)造力
意法半導(dǎo)體的 MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評估開發(fā)工具，與 STM32 微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS 和 Linux操作系統(tǒng)。
2024-04-07
意法半導(dǎo)體 MEMS Studio 桌面軟件 傳感器應(yīng)用
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關(guān)于高速電路中的AC耦合電容
在很多高速串行信號中，都會使用到AC耦合電容，既然在設(shè)計高速串行電路時，任何一個小小的不同都會引起信號完整性問題，為什么要在串行鏈路中加入一個AC耦合電容呢？這個電容不僅會導(dǎo)致信號邊沿變得緩慢，還有可能會引起阻抗不連續(xù)。
2024-04-04
高速電路 AC耦合電容
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光模塊的板載電源
光模塊是一種收發(fā)器設(shè)備，可將高速電數(shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)換為光信號，反之亦然。這種電光系統(tǒng)是高速通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，數(shù)據(jù)能夠以最小的信號損失傳輸長達(dá)數(shù)十公里的距離，或者以每秒數(shù)百千兆字節(jié)的高數(shù)據(jù)速率傳輸幾米的距離，其中電子數(shù)據(jù)連接線的電容和電感引起的損失和延遲往往無法接受。
2024-04-04
光模塊 板載電源
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貿(mào)澤電子沉浸式技術(shù)資源中心引領(lǐng)工程師邁向未來
2024年4月3日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 緊跟潮流，通過內(nèi)容豐富的沉浸式技術(shù)資源中心，幫助工程師探索增強現(xiàn)實 (AR) 和虛擬現(xiàn)實 (VR) 的未來技術(shù)。隨著行業(yè)格局不斷擴(kuò)大，工程師必須持續(xù)加強對沉浸式技術(shù)應(yīng)用的了解。從空間音頻等新興趨勢，...
2024-04-04
貿(mào)澤電子 加速度計 IMU
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