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GaAs 二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用
高壓硅二極管具有較低的正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生顯著的動(dòng)態(tài)損耗。SiC 二極管表現(xiàn)出可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)行為，但確實(shí)表現(xiàn)出比硅更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)壓降。由于 GaAs 技術(shù)能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) ...
2024-03-26
GaAs 二極管 功率轉(zhuǎn)換
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為何在RF設(shè)計(jì)中理解波反射非常重要？
在低頻下工作的普通電路與針對(duì)RF頻率設(shè)計(jì)的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計(jì)可采用多種波長(zhǎng)的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計(jì)和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性。
2024-03-26
RF設(shè)計(jì) 波反射
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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器的成本競(jìng)爭(zhēng)力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠...
2024-03-26
意法半導(dǎo)體 納米技術(shù) 微控制器
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意法半導(dǎo)體2024年股東大會(huì)議案公告
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，公布了擬在2024年5月22日荷蘭阿姆斯特丹舉行的公司年度股東大會(huì)(AGM)上審議批準(zhǔn)的議案。
2024-03-26
意法半導(dǎo)體
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集成運(yùn)放的使用
目前集成運(yùn)放的常見封裝方式有金屬殼封裝和雙列直插式封裝，外形如圖3.7.1 所示，以后者居多。雙列直插式有8、10、12、14、16 管腳等種類，雖然它們的外引線排列日趨標(biāo)準(zhǔn)化，但各制造廠仍略有區(qū)別。因此，使用運(yùn)放前必須查閱有關(guān)手冊(cè)，辨認(rèn)管腳，以便正確連線。
2024-03-25
集成運(yùn)放
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針對(duì)醫(yī)療級(jí)AC－DC電源：多種外形尺寸、插頭簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
在設(shè)計(jì)交流供電型醫(yī)療產(chǎn)品時(shí)，除了常見工程挑戰(zhàn)外，還面臨一個(gè)獨(dú)特的電源問題。您的線路操作 AC-DC 電源（也稱為電源轉(zhuǎn)換器）必須滿足嚴(yán)格的安全規(guī)定，而不是非醫(yī)療設(shè)計(jì)所要求的。您還必須確保這種電源在各種故障模式下仍能保持安全。
2024-03-25
醫(yī)療級(jí) AC－DC電源 插頭
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LIDAR的感知挑戰(zhàn)
成功的自動(dòng)駕駛汽車必定將使用緊密集成的傳感器系統(tǒng)來(lái)達(dá)到甚至超越人類的駕駛能力。人類駕駛員一般利用雙眼、雙耳，以及車輛運(yùn)動(dòng)給人的反饋來(lái)駕駛汽車。我們的大腦會(huì)實(shí)時(shí)處理所有這些信息，并從人腦的駕駛經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫(kù)中直覺反應(yīng)。復(fù)現(xiàn)人類駕駛能力所需的傳感器包括雷達(dá)、激光雷達(dá)(LIDAR)、攝像頭、慣...
2024-03-25
LIDAR 感知 汽車 自動(dòng)駕駛
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