【導讀】Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。
因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動，具有設計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率MOSFETs，探究其目標應用。
N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
MOSFET截面圖（如圖1）表明N溝道和P溝道功率MOSFETs之間的差異。N溝道MOSFET需要柵極和源極（Vgs）間施加正電壓才能導通，而P溝道MOSFET則需要負Vgs電壓。兩者的主要區(qū)別在于反向摻雜物質(zhì)：P溝道MOSFETs依賴空穴為主要電荷載流子而產(chǎn)生空穴電流，而N溝道器件利用電子產(chǎn)生電子流。由于N溝道的電子遷移率大約是空穴的2~3倍，因此，在P溝道器件中移動空穴比在N溝道器件中移動電子，更具挑戰(zhàn)性。這也是P溝道MOSFET具有更高通態(tài)電阻的原因。因此，對于和N溝道相同芯片尺寸的P溝道MOSFETs而言，實現(xiàn)相同的通態(tài)電阻（RDS(on)），是不太現(xiàn)實。
圖1：N溝道和P溝道功率MOSFETs橫截面及其符號標示
為實現(xiàn)與N溝道MOSFET相同的通態(tài)電阻RDS(on)，P溝道則需要2~3倍的晶圓尺寸，因此，在低導通損耗至關重要的大電流應用場景中，具有較低RDS(on)的大晶圓面積P溝道MOSFET并非理想選擇。另外，雖然具有較大芯片尺寸P溝道器件提供了更好的熱性能，但表現(xiàn)出更大的固有電容，從而導致更高的開關損耗。當系統(tǒng)工作在高開關頻率時，這一缺點顯著影響了器件的開關損耗。
在更關注導通損耗的低頻應用中，若P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的RDS(on)相匹配，則需要更大的芯片面積。相反，在高頻應用中優(yōu)先考慮開關損耗，P溝道MOSFET應該與N溝道對應的總柵極電荷一致，通常具有相似的芯片大小但額定電流較低。因此，選擇合適的P溝道MOSFET需要仔細考慮器件的RDS(on)、柵極電荷（Qg）規(guī)格及熱性能。
P溝道功率MOSFETs
Littelfuse經(jīng)過驗證的多系列工業(yè)級P溝道功率MOSFETs，具有多種優(yōu)異特性：業(yè)界最高的P MOSFETs電壓等級、最低的RDS(on)和Qg、高雪崩能量額定值、卓越的開關性能和優(yōu)越的安全工作區(qū)域（SOA），在標準工業(yè)和獨特隔離封裝方面具有業(yè)界一流的性能。Littelfuse P溝道MOSFETs保留了類似N溝道MOSFETs的基本特性：高速開關、有效的柵極電壓控制和良好的溫度穩(wěn)定性。
圖2：Littelfuse提供的P溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合
圖2示出了Littelfuse P溝道功率MOSFET的關鍵指標。StandardP和PolarP?平面器件的額定電壓值為-100V~-600V，額定電流為-2A~-170A。Polar P?提供了優(yōu)化的單元結構，具有低通態(tài)電阻和改進的開關性能，而StandardP受益于更好的SOA性能。TrenchP采用了更緊密的溝槽柵極單元結構，提供極低的RDS(on)、低柵極電荷、快速體二極管和更快的開關頻率，額定電壓范圍為-50V~-200V，額定電流為-10A~-210A。最新發(fā)布的IXTY2P50P0PA（-500V，-2A，4.2Ω）產(chǎn)品，是適用于汽車應用的首款車規(guī)級P溝道功率MOSFET。
P溝道功率MOSFETs應用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs在工業(yè)和汽車驅(qū)動中有著廣泛的應用，如電池、反極性保護、HS負載開關、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器和低壓逆變器。
P溝道功率MOSFETs半橋應用
典型半橋（HB）應用中，N溝道MOSFETs通常應用于功率級電路。然而，N溝道HS開關需要自舉電路產(chǎn)生柵極電壓，參考于HS MOSFET源極電壓的浮動電壓或?qū)℉S MOSFET的隔離電源，如圖3a)所示。因此，在半橋高端使用N溝道器件是以增加柵極驅(qū)動設計的復雜性為代價。圖3對比了使用互補MOSFETs和N溝道MOSFETs的電路。當P溝道MOSFET作為HS開關管（圖3b)），極大簡化了驅(qū)動器設計。這種結構去除了驅(qū)動HS開關管的電荷泵，且P溝道MOSFET可以輕松地通過簡單的電平轉(zhuǎn)移器被單片機控制。該電路不僅降低了設計難度，減少了器件數(shù)量，同時實現(xiàn)成本和空間的最優(yōu)化利用。
圖3：HB應用中簡化了HS驅(qū)動，HS開關管由 a) N溝道MOSFET改變至 b) P溝道MOSFET
正負極反接保護
正負極反接保護作為系統(tǒng)的一種安全措施，防止電源反向連接造成潛在的火災危險及損壞。圖4a)為使用P溝道MOSFET實現(xiàn)的反接保護。電池正確連接時，體二極管工作直至MOSFET導通；當電池反接時，體二極管反向偏置，此時柵極和源極電位相同，P溝道MOSFET關斷。P溝道MOSFET柵極電壓受制于齊納二極管鉗位，當電壓過高時進行保護。
圖4：a) 反接保護和 b) 使用P溝道MOSFET作為負載開關
負載開關
負載開關將電壓軌與特定負載接通或關斷，為系統(tǒng)管理電源提供一種經(jīng)濟而簡單的方法。圖4b)為使用P溝道功率MOSFET作為負載開關的電路。該電路通過邏輯使能（EN）信號驅(qū)動Q1（NMOSFET）來控制PMOSFET。當EN為低時，Q1關閉，P MOSFET柵極被拉至VBAT。相反，當EN為高時，Q1導通，P MOSFET柵極接地，負載開關導通。如果VBAT高于PMOSFET的閾值電壓，則EN為高時導通，消除了對NMOSFET所必需的額外電壓源來偏置柵極的需要。同時串聯(lián)電阻以限制電路中的電流，并聯(lián)齊納二極管來鉗位柵極電壓。
DC-DC轉(zhuǎn)換器
低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中，圖5a)所示的同步降壓轉(zhuǎn)換器使用PMOSFET器件作為HS開關管，該設計簡化了電路，節(jié)省了空間，取消了外部柵極驅(qū)動電路，同時減少了材料清單（BOM），提高了效率。相同地，在同步升壓轉(zhuǎn)換器中，P溝道MOSFET器件可以作為輸出同步整流器取代二極管，如圖5b)所示。受益于P溝道MOSFET改進的FoM（FoM = RDS(on)* Qg），轉(zhuǎn)換器效率得到了提高。
圖5：使用互補MOSFETs的低功率 a) 同步降壓轉(zhuǎn)換器和 b) 同步升壓轉(zhuǎn)換器
結束語
隨著現(xiàn)代低壓應用的發(fā)展，Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs的廣泛應用，為工業(yè)和汽車應用設計工程師提供了更簡單、更可靠和優(yōu)化的電路設計。為了實現(xiàn)特定應用的最佳性能，設計工程師需要在選擇P溝道功率MOSFET時在RDS(on)和Qg之間做出權衡。
參考：Littelfuse提供的P溝道MOSFETs（https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-MOSFETs/p-channel.aspx）和柵極驅(qū)動器（https://www.littelfuse.com/products/integrated-circuits/gate-driver-ics.aspx）。
（文章來源：Littelfuse，作者：Littelfuse Sachin Shridhar Paradkar、Raymon Zhou、José Padilla）
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