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便攜式設(shè)備充電電路的分立器件保護(hù)方案
便攜式電子系統(tǒng)往往需要通過(guò)一個(gè)墻體適配器(交流-直流轉(zhuǎn)換子系統(tǒng))利用外部電源為其內(nèi)部電池充電。如今的電池組大都采用了鋰技術(shù)，因?yàn)殇嚰夹g(shù)能減小便攜式產(chǎn)品的總重量。但另一方面，這種產(chǎn)品必須遵守嚴(yán)格的充電規(guī)則。需要注意的是，充電步驟如果出現(xiàn)問(wèn)題可能會(huì)導(dǎo)致鋰離子溫度升高、熱量失控而產(chǎn)生爆...
2008-10-11
墻體適配器 OVP 過(guò)壓閾值 AC-DC 啟動(dòng)器件
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅(qū)動(dòng)電路 過(guò)流檢測(cè)
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DC/DC拓?fù)涞姆诸惡瓦x擇標(biāo)準(zhǔn)
為了提高電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)者選擇DC/DC拓?fù)涞臏?zhǔn)確性和快速性，分析了現(xiàn)有市場(chǎng)上主流的通信、電腦用電源中DC/DC的應(yīng)用特點(diǎn)，從電氣規(guī)格出發(fā)提出了電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中DC/DC變換器的電路拓?fù)溥x擇的四大標(biāo)準(zhǔn)。 輸入電壓高低決定是否采用軟開(kāi)關(guān)；輸出電壓高低決定是否采用同步整流；輸入輸出電壓變換范圍...
2008-10-11
直流直流 經(jīng)典拓?fù)?nbsp; 選擇標(biāo)準(zhǔn) DC/DC ZVS
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三端雙向晶閘管的功耗計(jì)算和Tjmax預(yù)測(cè)
三端雙向晶閘管在工作時(shí)消耗大量電能，因而其散熱設(shè)計(jì)非常重要。散熱設(shè)計(jì)主要涉及到功率、熱阻和溫度升高等幾個(gè)計(jì)算階段。本文介紹的是設(shè)計(jì)計(jì)算以及設(shè)計(jì)案例，其數(shù)據(jù)主要來(lái)自實(shí)際應(yīng)用和三端雙向晶閘管的數(shù)據(jù)表。
2008-10-11
三端雙向晶閘管 vo rs Tjmax
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韓國(guó)技術(shù)團(tuán)隊(duì)訪問(wèn)南方芯源
韓國(guó)楓葉半導(dǎo)體拜訪南方芯源總經(jīng)理羅義先生，此次來(lái)訪是希望與南方芯源合作，共同開(kāi)拓中國(guó)MOSFET市場(chǎng)。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導(dǎo)體 南方芯源
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PMEG系列：恩智浦FlatPower封裝MEGA Schottky整流器
恩智浦半導(dǎo)體近日宣布推出全新FlatPower封裝的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因?yàn)?金屬板綁定"的封裝成果，新的MEGA產(chǎn)品帶來(lái)可媲美標(biāo)準(zhǔn)SMA封裝的高功率性能。新產(chǎn)品以其卓越的前向壓降，可以允許50A的峰值電流和高至1W的Ptot功率耗散。
2008-10-10
MEGA Schottky整流器 PMEG2010ER PMEG3010ER PMEG4010ER
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光纖活動(dòng)連接器等產(chǎn)品新認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)獲批準(zhǔn)
日前，國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)認(rèn)可了針對(duì)光纖活動(dòng)連接器、漏泄同軸電纜、地下通信管道用塑料管等多種產(chǎn)品的新認(rèn)證規(guī)則。據(jù)新認(rèn)證規(guī)則的起草單位工信部電信研究院泰爾認(rèn)證中心主任袁和國(guó)介紹，按照有關(guān)要求，原獲證企業(yè)在下次監(jiān)督之前必須滿足新標(biāo)準(zhǔn)要求，泰爾認(rèn)證中心下次監(jiān)督將按新標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行并增加差異...
2008-10-09
光纖活動(dòng)連接器 漏泄同軸電纜 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
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估算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗
開(kāi)關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計(jì)算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現(xiàn)象 滲透深度
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功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車載照明保護(hù)與控制
高壓側(cè)前置場(chǎng) FET 驅(qū)動(dòng)器和功率 FET 組合被廣泛地用于負(fù)載控制，這種組合還可能被應(yīng)用于那些要求通過(guò)串行總線通信或者并行輸入控制來(lái)實(shí)現(xiàn)負(fù)載控制的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中。將每一個(gè)功率 FET 與熱相互作用隔離的這種能力，在那些單通道短路或者熱關(guān)閉故障不會(huì)中斷其它負(fù)載控制通道功能的情況下是非常有好...
2008-10-09
車載照明 FET 螺線管負(fù)載 浪涌電流
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