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如何在不破壞背板數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的情況下把I/O卡插入帶電的背板上呢？
隨著服務(wù)器系統(tǒng)的增長(zhǎng)，包含控制電路以用來(lái)監(jiān)視服務(wù)器的輸入/輸出(I/O)卡數(shù)量和復(fù)雜程度也同比增長(zhǎng)。零停機(jī)時(shí)間系統(tǒng)要求用戶將I/O卡插入帶電的背板。雖然許多IC供應(yīng)商已經(jīng)開(kāi)發(fā)出能夠安全對(duì)電源和地線進(jìn)行熱插拔(Hot SwapTM)的芯片，但是迄今為止，仍沒(méi)有一個(gè)能在I2CTM和SMBus系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)數(shù)據(jù)(SDA...
2021-11-24
背板數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 I/O卡
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【干貨分享】6種延時(shí)電路原理
眾所周知，說(shuō)到延時(shí)，很多人都會(huì)想到用軟件件來(lái)實(shí)現(xiàn)，比如定時(shí)器之類(lèi)的。今天就來(lái)說(shuō)說(shuō)用硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)定時(shí)的方式，雖說(shuō)沒(méi)有那么準(zhǔn)，但是有些場(chǎng)合還是用得到的。今天我們來(lái)介紹一下6種延時(shí)電路工作原理。
2021-11-24
延時(shí)電路
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4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理
電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管如MOS管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，且占空比大小能夠經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片控制加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。
2021-11-24
MOS管驅(qū)動(dòng) 全橋電路
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小信號(hào)放大電路故障的檢測(cè)
模擬信號(hào)是指用連續(xù)變化的物理量表示的信息，其信號(hào)的幅度，或頻率，或相位均隨時(shí)間作連續(xù)變化，如廣播電視中的聲音信號(hào)，或圖像信號(hào)等。處理模擬信號(hào)的電子電路稱為模擬電路。模擬電路主要包括放大電路、振蕩電路和電源電路等。
2021-11-19
小信號(hào) 放大電路
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怎樣正確選擇同步降壓 MOSFET 電阻比？
反激式轉(zhuǎn)換器在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)下都可以工作。但對(duì)許多低功耗和低電流應(yīng)用而言，DCM反激式轉(zhuǎn)換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細(xì)介紹此類(lèi)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)步驟
2021-11-19
同步降壓 MOSFET 電阻比
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如何選擇電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET？
DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。
2021-11-19
電源系統(tǒng) 開(kāi)關(guān)控制器 MOSFET
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如何在48V系統(tǒng)中輕松應(yīng)用GaN FET？
GaN FET可以應(yīng)用在48V電源系統(tǒng)中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器，工程師們常利用DSP數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)其高頻和高效率設(shè)計(jì)。然而，DSP解決方案因?yàn)樾枰~外的IC而增加了復(fù)雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器，它只需很少的器件，就可以讓設(shè)計(jì)人員像使用硅FET一樣簡(jiǎn)單地設(shè)...
2021-11-17
48V系統(tǒng) GaN FET
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保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過(guò)應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過(guò)應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過(guò)應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時(shí)，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類(lèi)繁多，如表1，其中過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對(duì)其它應(yīng)力更為常見(jiàn)。
2021-11-16
保護(hù)器件 過(guò)電應(yīng)力失效
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USB Type-C接口EMC設(shè)計(jì)及過(guò)壓防護(hù)方案
依托巨大的市場(chǎng)發(fā)展，智能手機(jī)在原有的通訊功能基礎(chǔ)上，正體現(xiàn)出其強(qiáng)大的功能擴(kuò)展性。同時(shí)其高功耗也對(duì)智能手機(jī)的續(xù)航能力提出越來(lái)越高的要求。2014 年，Type-C 伴隨著最新的USB3.1 標(biāo)準(zhǔn)橫空出世，這類(lèi)全新的接口形式，憑借其便捷的正反面拔插，大功率的供電，快速的傳輸速率等功能得到廣泛認(rèn)可。但...
2021-11-15
USB Type-C EMC 過(guò)壓防護(hù)
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