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破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗的特性，正在快速滲透消費電子、汽車電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。然而，不同拓撲結(jié)構(gòu)對GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領(lǐng)域的LLC諧振拓撲需要高頻率下的電磁干擾控制，而車載雙向逆變器更關(guān)注動態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓撲、雙向逆變拓撲、多電平拓撲及汽車主驅(qū)模塊中的氮化鎵技術(shù)痛點，揭示材料特性與系統(tǒng)設(shè)計間的矛盾性關(guān)系。
2025-06-10
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從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設(shè)備浪涌防護難題
線繞電阻憑借高可靠性、耐脈沖電流及寬溫域性能，成為新能源與交通領(lǐng)域關(guān)鍵電子元件。在光伏逆變器中限制直流側(cè)電容充電電流，于風(fēng)電變流器Crowbar電路吸收電網(wǎng)故障能量，為電動汽車BMS提供±0.1%精度的四線制電流檢測，并在快充樁中實現(xiàn)緊急泄放儲能。其抗震設(shè)計（10G加速度）、10萬小時壽命及-55℃~175℃耐溫特性，保障極端工況下的系統(tǒng)安全，成為新能源設(shè)備抵御浪涌沖擊、延長服役周期的核心防護器件，助力綠色能源轉(zhuǎn)型。
2025-05-22
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800V牽引逆變器：解鎖電動汽車續(xù)航與性能躍升的工程密鑰
在全球電動汽車年銷量突破3000萬輛的產(chǎn)業(yè)拐點（據(jù)BloombergNEF 2025年數(shù)據(jù)），續(xù)航焦慮與性能衰減仍是制約市場滲透率的核心痛點。作為電驅(qū)系統(tǒng)的"心臟"，牽引逆變器正通過材料革命與架構(gòu)創(chuàng)新，推動電動汽車實現(xiàn)NEDC工況下750km續(xù)航與百萬公里級耐久性的雙重突破。這場由800V高壓平臺引領(lǐng)的技術(shù)變革，正在重構(gòu)電動汽車的價值鏈競爭力。
2025-05-12
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一文讀懂運動控制驅(qū)動器的技術(shù)邏輯
電動驅(qū)動器是一種通過控制設(shè)備來調(diào)節(jié)電動機操作的系統(tǒng)。驅(qū)動器的主要任務(wù)是管理電能（以及氣動和氣動）轉(zhuǎn)換為機械能（線性，旋轉(zhuǎn)，振蕩或其他類型的運動），并針對特定應(yīng)用進行了優(yōu)化。它們由幾個組件組成，包括電動機，伺服電動機，步進電動機，逆變器，傳感器和控制系統(tǒng)。
2025-05-09
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金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展 定義新能源磁性元件新標桿
2025年4月10日，深圳會展中心9號館內(nèi)，濰坊金海迪電子有限公司（展位9C515）以全球首發(fā)姿態(tài)引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領(lǐng)域的隱形冠軍，這家國家級高新技術(shù)企業(yè)重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器，其突破性的±0.3%檢測精度和125℃高溫耐受性能，直擊微型逆變器與儲能設(shè)備微型化痛點。展臺上，由全自動化產(chǎn)線打造的PT-3200系列貼片變壓器同步亮相，以30%的體積壓縮比和醫(yī)療級可靠性標準，向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進階之路。
2025-04-10
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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傳輸晶體管邏輯簡介
流經(jīng)通道的電流問題會導(dǎo)致典型 CMOS 功能的一個更微妙但至關(guān)重要的方面。 CMOS 反相器確保輸出節(jié)點與電源軌或地具有低電阻連接；反相器總是NMOS導(dǎo)通、PMOS截止或PMOS導(dǎo)通、NMOS截止。這就是為什么我們可以說 CMOS 電路驅(qū)動邏輯低或邏輯高。這也是為什么圍繞逆變器拓撲構(gòu)建的邏輯電路如此可靠的“數(shù)字”——所有節(jié)點都具有明確定義的二進制狀態(tài)，因為它們始終具有通向電源電壓或接地的低電阻路徑。
2025-02-11
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運而生。
2025-01-17
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動及保護功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動電路、保護電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機的輸入信號直接控制，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，并實現(xiàn)高可靠性。另外，內(nèi)置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數(shù)量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計時間。
2025-01-09
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動。
2025-01-08
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準 Z 源逆變器的設(shè)計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓撲不同，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓撲結(jié)構(gòu)增強了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓撲演變而來的，允許在一個階段進行升壓和降壓操作。
2024-12-22
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
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