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PCB設(shè)計(jì)中電容的擺放
電容在高速 PCB 設(shè)計(jì)中起著重要的作用，通常也是 PCB 上用得最多的器件。在 PCB 中，電容通 常分為濾波電容、去耦電容、儲(chǔ)能電容等。 我們通常把電源模塊輸入、輸出回路的電容稱(chēng)為濾波電容。簡(jiǎn)單理解就是，保證輸入、輸出電源 穩(wěn)定的電容。在電源模塊中，濾波電容擺放的原則是“先大后小”。如圖2.48....
2024-04-17
PCB 電容
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如何識(shí)別變壓器引線(xiàn)
本文介紹了在識(shí)別號(hào)碼隨著時(shí)間的推移可能變得不可讀的情況下區(qū)分變壓器引線(xiàn)的過(guò)程。它討論了小型單相變壓器面臨的挑戰(zhàn)，并提供了有關(guān)使用電阻和繞組匝數(shù)來(lái)準(zhǔn)確識(shí)別 H 和 X 引線(xiàn)的見(jiàn)解。本文還解釋了如何執(zhí)行加法和減法極性測(cè)試，這對(duì)于確定引線(xiàn)數(shù)量和遵守 ANSI 標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。
2024-04-12
變壓器 引線(xiàn)
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瑞薩Quick Connect Studio實(shí)現(xiàn)顛覆性改變，賦予設(shè)計(jì)師并行開(kāi)發(fā)軟硬件的能力
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布其基于云的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)平臺(tái)Quick Connect Studio推出全新功能并擴(kuò)展產(chǎn)品覆蓋范圍。Quick Connect Studio讓用戶(hù)能夠以圖形化方式實(shí)現(xiàn)硬件和軟件的協(xié)同優(yōu)化，從而快速驗(yàn)證原型設(shè)計(jì)并加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
2024-04-11
瑞薩 Quick Connect Studio
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選擇合適的ESD保護(hù)元件有多重要？
為防止ESD（靜電放電）導(dǎo)致電子設(shè)備失靈或故障，需要采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施。對(duì)于線(xiàn)路應(yīng)用，通常采用直接貼裝元件，如果未選擇合適的防靜電配件，正常運(yùn)行期間的線(xiàn)路信號(hào)會(huì)受到干擾，其中包括各種具有高速和差分信號(hào)的通信線(xiàn)路，比如車(chē)載通信CAN（控制器局域網(wǎng)）、車(chē)載以太網(wǎng)等。靜電放電通常會(huì)對(duì)上...
2024-04-10
ESD保護(hù)元件
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電壓比較器的工作區(qū)域及工作原理
電壓比較器通常由集成運(yùn)放構(gòu)成，與普通運(yùn)放電路不同的是，比較器中的集成運(yùn)放大多處于開(kāi)環(huán)或正反饋的狀態(tài)。只要在兩個(gè)輸入端加一個(gè)很小的信號(hào)，運(yùn)放就會(huì)進(jìn)入非線(xiàn)性區(qū)，屬于集成運(yùn)放的非線(xiàn)性應(yīng)用范圍。在分析比較器時(shí)，虛斷路原則仍成立，虛短及虛地等概念僅在判斷臨界情況時(shí)才適應(yīng)。
2024-04-10
電壓比較器
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【做信號(hào)鏈，你需要了解的高速信號(hào)知識(shí)（三）】高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡
高速總線(xiàn)升級(jí)迭代的矛盾在于，消費(fèi)者對(duì)性能的需求驅(qū)動(dòng)著信號(hào)速率成倍的增長(zhǎng)，消費(fèi)者對(duì)便捷性的需求使得傳輸線(xiàn)無(wú)法縮短，消費(fèi)者對(duì)低成本的追求要求PCB板材和傳輸線(xiàn)不能太貴，這就導(dǎo)致ISI抖動(dòng)變得越來(lái)越嚴(yán)重。均衡(Equalization)就是為了應(yīng)對(duì)ISI抖動(dòng)，而被廣泛應(yīng)用的黑科技。既然ISI抖動(dòng)的根源，是傳...
2024-04-08
信號(hào)鏈 高速信號(hào) 傳輸鏈路
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軟件可配置模擬I／O的設(shè)計(jì)理念
在快速發(fā)展的工業(yè)電子領(lǐng)域，軟件可配置模擬 I/O 器件的開(kāi)發(fā)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和運(yùn)行帶來(lái)了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個(gè)很好的實(shí)例，它提供了一個(gè)多面的模擬信號(hào)處理方法，可按需重新配置，以適應(yīng)各種應(yīng)用。
2024-04-07
軟件 模擬I／O
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢...
2024-04-07
測(cè)試共源 氮化鎵 FET
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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