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三極管飽和問題總結(jié)和判斷方法

發(fā)布時(shí)間:2019-08-02 責(zé)任編輯:xueqi

【導(dǎo)讀】判斷三極管飽和時(shí)應(yīng)該求出基級最大飽和電流IBS,然后再根據(jù)實(shí)際的電路求出當(dāng)前的基級電流,如果當(dāng)前的基級電流大于基級最大飽和電流,則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。
 
三極管飽和問題總結(jié):
 
1.在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。
 
2.集電極電阻 越大越容易飽和;
 
3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是:二個(gè)PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制
 
問題:基極電流達(dá)到多少時(shí)三極管飽和?
 
解答:這個(gè)值應(yīng)該是不固定的,它和集電極負(fù)載、β值有關(guān),估算是這樣的:假定負(fù)載電阻是1K,VCC是5V,飽和時(shí)電阻通過電流最大也就是5mA,用除以該管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基極電流大于50μA就可以飽和。
 
對于9013、9012而言,飽和時(shí)Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表:
 
 
問題:如何判斷飽和?
 
判斷飽和時(shí)應(yīng)該求出基級最大飽和電流IBS,然后再根據(jù)實(shí)際的電路求出當(dāng)前的基級電流,如果當(dāng)前的基級電流大于基級最大飽和電流,則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。
 
飽和的條件:1.集電極和電源之間有電阻存在  且越大就越容易管子飽和;2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低,從而出現(xiàn)b較c電壓高的情況。             
 
影響飽和的因素:1.集電極電阻 越大越容易飽和;2.管子的放大倍數(shù)  放大倍數(shù)越大越容易飽和;3.基集電流的大小;
 
飽和后的現(xiàn)象:1.基極的電壓大于集電極的電壓;2.集電極的電壓為0.3左右,基極為0.7左右(假設(shè)e極接地)
 
談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。假定晶體管集-射極電路的負(fù)載電阻(包括集電極與射極電路中的總電阻)為R,則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R,隨著Ib的增大,Vce減小,當(dāng)Vce<0.6V時(shí),B-C結(jié)即進(jìn)入正偏,Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大,就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。當(dāng)然Ib如果繼續(xù)增大,會使Vce再減小一些,例如降至0.3V甚至更低,就是深度飽和了。以上是對NPN型硅管而言。
 
另外一個(gè)應(yīng)該注意的問題就是:在Ic增大的時(shí)候,hFE會減小,所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib>>Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限,當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價(jià)的。
 
注意:飽和時(shí)Vb>Vc,但Vb>Vc不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據(jù)還是放大倍數(shù),有的管子Vb>Vc時(shí)還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)。例如:有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和,Ic/Ib<1應(yīng)該屬于深飽和了。
 
從晶體管特性曲線看飽和問題:我前面說過:談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻?,F(xiàn)在再作詳細(xì)一點(diǎn)的解釋。
 
以某晶體管的輸出特性曲線為例。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止,為了說明方便,我向右延伸到了4.0V。
 
如果電源電壓為V,負(fù)載電阻為R,那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束:Ic = (V-Vce)/R
 
在晶體管的輸出特性曲線圖上,上述關(guān)系式是一條斜線,斜率是 -1/R,X軸上的截距是電源電壓V,Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說的“Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限”)。這條斜線稱為“靜態(tài)負(fù)載線”(以下簡稱負(fù)載線)。各個(gè)基極電流Ib值的曲線與負(fù)載線的交點(diǎn)就是該晶體管在不同基極電流下的工作點(diǎn)。見下圖:
 
 
圖中假定電源電壓為4V,綠色的斜線是負(fù)載電阻為80歐姆的負(fù)載線,V/R=50MA,圖中標(biāo)出了Ib分別等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作點(diǎn)A、B、C、D、E、F。據(jù)此在右側(cè)作出了Ic與Ib的關(guān)系曲線。根據(jù)這個(gè)曲線,就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線性放大區(qū),Ic隨Ib的增大幾乎成線性地快速上升,可以看出β值約為200。蘭色段開始變彎曲,斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了,這就是“飽和”。實(shí)際上,飽和是一個(gè)漸變的過程,蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸,與Ic=50MA的水平線相交,交點(diǎn)對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。
 
由圖可見,根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。
 
圖中還畫出了負(fù)載電阻為200歐姆時(shí)的負(fù)載線??梢钥闯?,對應(yīng)于Ib=0.1mA,負(fù)載電阻為80歐姆時(shí),晶體管是處于線性放大區(qū),而負(fù)載電阻200歐姆時(shí),已經(jīng)接近進(jìn)入飽和區(qū)了。負(fù)載電阻由大到小變化,負(fù)載線以Vce=4.0為圓心呈扇狀向上展開。負(fù)載電阻越小,進(jìn)入飽和狀態(tài)所需要的Ib值就越大,飽和狀態(tài)下的C-E壓降也越大。在負(fù)載電阻特別小的電路,例如高頻諧振放大器,集電極負(fù)載是電感線圈,直流電阻接近0,負(fù)載線幾乎成90度向上伸展(如圖中的紅色負(fù)載線)。這樣的電路中,晶體管直到燒毀了也進(jìn)入不了飽和狀態(tài)。以上所說的“負(fù)載線”,都是指直流靜態(tài)負(fù)載線;“飽和”都是指直流靜態(tài)飽和。
 
用三極管需要考慮的問題:
 
1)耐壓夠不夠
 
2)負(fù)載電流夠不夠大
 
3)速度夠不夠快(有時(shí)卻是要慢速)
 
4)B極控制電流夠不夠
 
5)有時(shí)可能考慮功率問題
 
6)有時(shí)要考慮漏電流問題(能否“完全”截止)。
 
7)一般都不怎么考慮增益(我的應(yīng)用還沒有對此參數(shù)要求很高)
 
實(shí)際使用時(shí),晶體管注意四個(gè)要素就行:-0.1~-0.3V振蕩電路, 0.65-0.7V放大電路,0.8V以上為開關(guān)電路,β值中放、高放為30-40,低放60-80,開關(guān)100-120以上就行,不必研究其它的,研究它的共價(jià)鍵、電子、空穴沒用
 
Vce=VCC(電源電壓)-Vc(集電極電壓)=VCC-Ic(集電極電流)Rc(集電極電阻)。
 
可以看出,這是一條斜率為-Rc的直線,稱為“負(fù)載線”。當(dāng)Ic=0時(shí),Vce=Vcc。當(dāng)Vce=0時(shí)(實(shí)際上正常工作時(shí)Vce不可能等于0,這是它的特性決定的),Ic=Vcc/Rc。也就是說,Ic不可能大于這個(gè)數(shù)值。對應(yīng)的基極電流Ib=Ic/β=Vcc/βRc,這就是飽和基極電流的計(jì)算公式。
 
飽和分臨界飽和和過度飽和兩種狀態(tài)。當(dāng)Ib=Vcc/βRc時(shí),三極管基本處于臨界飽和狀態(tài)。
 
當(dāng)基極電流大于此值的兩倍,三極管就基本進(jìn)入深度飽和狀態(tài)。三極管深度飽和和臨界飽和的Vce差很大。臨界飽和壓降大,但退出飽和容易;深度飽和壓降小但不容易退出飽和。所以,不同用途選擇的基極電流是不一樣的。
 
還有,飽和壓降和集電極電流有直接關(guān)系。集電極電阻越小,飽和集電極電流就越大,飽和壓降越大。反之也相反(集電極電阻越大,飽和集電極電流就越小,飽和壓降越?。?。如果集電極電流5毫安時(shí)三極管飽和,9013、9012之類的飽和壓降一般不超過0.6伏?;鶚O電流超過兩倍Vcc/βRc時(shí),一般飽和壓降就小到0.3V左右了。
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