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醫(yī)療穿戴

TVS將變成ESD保護二極管的終極替代

臺灣晶炎認為，隨著今天IC制造工藝下探28納米節(jié)點，ESD保護二極管開始遇到三個致命的發(fā)展瓶頸：升級換代時間長、反應時間太長和鉗位電壓做不低，未來TVS取代ESD保護二極管將變成主流發(fā)展趨勢。

2013-03-06

TVS ESD 二極管

【電源設計小貼士32】：注意SEPIC耦合電感回路電流1

在這篇【電源設計小貼士】中，我們將確定SEPIC拓撲中耦合電感的一些漏電感要求。在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時，SEPIC是一種非常有用的拓撲。

2013-03-05

電源耦合電感回路電流

【電源設計小貼士31】：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇【電源設計小貼士】中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和FET電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于FET選擇的非常有用的起始點。

2013-03-04

電源 MOSFET

Bourns新型號采用霍爾效應技術，有助提高可靠性和壽命

Bourns近日擴大兩個 non-contacting rotary position sensors非接觸式位置傳感器新型號的生產(chǎn)線。AMS22U 和AMM20B采用霍爾效應的技術，有助于提高在惡劣環(huán)境中運行的可靠性和壽命。

2013-03-01

Bourns 霍爾效應傳感器

【電源設計小貼士30】：低壓降壓IC實現(xiàn)簡單經(jīng)濟的偏置電源

在本次【電源設計小貼士】中，我們將研究一款可將高AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為可用于電子能量計等應用的低DC電壓簡單電路。在這種特殊的應用中，無需將輸出電壓隔離于輸入電壓。

2013-03-01

電源偏置電源

【電源設計小貼士29】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升2

本文我們將最終對一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法進行研究。在【電源設計小貼士28】中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡的各種電壓代表各個溫度。

2013-02-28

電源熱插拔瞬態(tài)溫升

【電源設計小貼士28】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升1

在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。

2013-02-27

電源熱插拔瞬態(tài)溫升

【電源設計小貼士26】：高頻導體的電流分布

本次【電源設計小貼士】中，我們將研究自由空間及纏繞結(jié)構(gòu)中導體的有效電阻。文中圖1顯示了第一個例子。其為自由空間中單條導線的橫截面，其攜帶的是高頻電流。

2013-02-26

電源高頻電流分布

【電源設計小貼士25】：改善負載瞬態(tài)響應2

本文是《電源設計小貼士23》的后續(xù)文章。它著重介紹如何使用TL431分路穩(wěn)壓器關閉隔離電源的反饋環(huán)路。本文章討論了一種擴展電源控制環(huán)路帶寬以改善瞬態(tài)負載及線路響應的方法。

2013-02-25

電源瞬態(tài)響應

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