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多功能預(yù)驅(qū)動(dòng)器,為中高電流驅(qū)動(dòng)器提供全方位保護(hù)
關(guān)于IGBT/MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器,相信做電機(jī)驅(qū)動(dòng)或者大功率設(shè)備驅(qū)動(dòng)的工程師都會(huì)有所了解,所謂預(yù)驅(qū)動(dòng)器,其實(shí)就是將微控制器與IGBT/MOSFET隔離開來,為負(fù)載及驅(qū)動(dòng)器提供保護(hù),并為微控制器(MCU)提供診斷信息。這種預(yù)驅(qū)動(dòng)器一般會(huì)使用運(yùn)放,MOS或者三極管等搭建,在實(shí)現(xiàn)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器和微控制器的前提之下,還實(shí)現(xiàn)了將MOSFET的漏極-源極電壓(VDS)與基準(zhǔn)電壓做比較,實(shí)現(xiàn)狀態(tài)診斷;那么大家知道光耦其實(shí)還可以做IGBT/MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器么?東芝針對(duì)IGBT/MOSFET產(chǎn)品以及光耦應(yīng)用技術(shù)深耕多年,這款針對(duì)中高電流IGBT/MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器——TLP5231,就是東芝半導(dǎo)體系列產(chǎn)品線的補(bǔ)充和完善。
2022-04-27
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如何正確理解功率循環(huán)曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注,特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評(píng)估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起,工作過程中溫度的變化會(huì)引起結(jié)合點(diǎn)的老化,以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮;另外綁定線的成分,綁定工具的形狀、綁定參數(shù)以及芯片的金屬化焊接等因素都會(huì)影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用
現(xiàn)代尖端電力電子設(shè)備性能升級(jí)需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求,需要高性能與性價(jià)比兼具的主開關(guān)器件。為此,基本半導(dǎo)體推出的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。
2022-04-01
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機(jī)都在高速增長,單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW,系統(tǒng)電路示意框圖如圖1所示,從光伏電池板經(jīng)過逆變器中DC/DC,DC/AC電路實(shí)現(xiàn)綠電的能量轉(zhuǎn)換,英飛凌能提供一站式半導(dǎo)體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術(shù)驅(qū)動(dòng)IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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集成驅(qū)動(dòng)器!原來,GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘在這里~
如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸,在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應(yīng)用領(lǐng)域,不斷在向傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強(qiáng)勁的沖擊。
2022-02-17
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一文弄懂IGBT驅(qū)動(dòng)
要了解什么是IGBT驅(qū)動(dòng),首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2022-02-11
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SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外,所使用的電路方式也多種多樣,除單獨(dú)使用外,還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
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擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的絕緣能力?采用'BIER'測(cè)試吧
最新的寬帶間隙(WBG)半導(dǎo)體正走向最理想的狀態(tài),也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換,而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而,下橋臂電路中的快速切換會(huì)將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動(dòng)電路,從而造成混亂或損壞,同時(shí)上橋臂柵極驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)和電源隔離還會(huì)受到應(yīng)力影響。本文將探討這些影響、解釋如何減輕影響,以及評(píng)估應(yīng)力和局部放電(PD)帶來的損傷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰?你選對(duì)了嗎?
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管,是由雙極型三極管(BJT)和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式半導(dǎo)體功率器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起,MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2022-01-26
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大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS,交流靜態(tài)開關(guān),SVC和電解氫等場合,但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動(dòng)態(tài)特性,控制特性,保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會(huì)發(fā)生什么?
我們常常被告誡:實(shí)際應(yīng)用中,IGBT集電極電壓絕對(duì)不能超過額定值,否則器件有可能被擊穿。然后有的同學(xué)并不死心:如果我只超了一點(diǎn)點(diǎn)呢,1210V就會(huì)擊穿嗎?如果只是一個(gè)非常短非常短,比如只有1us的脈沖呢?功率器件也沒那么脆弱啊對(duì)不對(duì)?
2022-01-25
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度,而IGBT7短時(shí)過載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。那么IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區(qū)享受人生嗎?
2021-12-28
- 大咖齊聚,智啟新篇 | OFweek 2025(第十四屆)中國機(jī)器人產(chǎn)業(yè)大會(huì)圓滿收官!
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