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電容漏泄的測(cè)量
電容器是幾乎所有電氣設(shè)備上都會(huì)用到的主要器件。漏阻是電容器被測(cè)試的眾多電氣特征中的一個(gè)。漏阻通常被稱為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流
2011-08-11
電容 漏阻 電阻器 二極管
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直流電源EMI濾波器的設(shè)計(jì)
本文從直流電源EMI濾波器的設(shè)計(jì)原則、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、參數(shù)確定方法及安裝要求的角度，介紹直流電源EMI濾波器的設(shè)計(jì)。
2011-08-10
直流電源 EMI 濾波器
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IHLP-3232CZ-01：Vishay發(fā)布小尺寸、高電流電感器用于移動(dòng)設(shè)備
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，發(fā)布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值范圍。
2011-08-10
IHLP-3232CZ-01 Vishay 電感器
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電動(dòng)汽車充電方案比選
目前，業(yè)界習(xí)慣于將電動(dòng)汽車不能大行其道歸罪于充電站建設(shè)系統(tǒng)的空缺，而在電動(dòng)汽車社會(huì)保有量極為低下的情況下，以似乎又不能投入巨資建設(shè)作為公共設(shè)施的充電站網(wǎng)絡(luò)，于是問(wèn)題再一次陷入怪圈。本文嘗試對(duì)電動(dòng)汽車各種充電方案進(jìn)行分析，以期尋找出實(shí)用、可行的中國(guó)電動(dòng)汽車充電方案。
2011-08-10
充電 電動(dòng)汽車 加油 快充電站
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智能電視靜電保護(hù)技巧
隨著更小更先進(jìn)的集成電路不斷促進(jìn)智能電視的發(fā)展，電磁兼容（EMC)的領(lǐng)域?qū)⒊霈F(xiàn)新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些高速信號(hào)接口在正常使用條件下會(huì)受到靜電和電纜放電事件的威脅。本文將針對(duì)智能電視上兩個(gè)最常見(jiàn)和最敏感的接口：HDMI與千兆以太網(wǎng)接口提供保護(hù)方案。
2011-08-10
靜電保護(hù) 智能電視 電壓 系統(tǒng)信號(hào)
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基于交/直流電源的LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)實(shí)例
相較于白熾燈等傳統(tǒng)光源，LED具有能效高、壽命長(zhǎng)、指向性好等眾多優(yōu)勢(shì)，越來(lái)越受業(yè)界青睞用于通用照明市場(chǎng)。根據(jù)具體應(yīng)用的不同，led可能會(huì)采用不同的電源來(lái)供電，如交流線路、太陽(yáng)能板、12 V汽車電池、直流電源或低壓交流系統(tǒng)，甚至是基于堿和鎳的電池或鋰離子電池等。本文就是對(duì)基于交/直流電源的...
2011-08-09
LED 驅(qū)動(dòng)電路 交/直流 電源
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UPS電源的十大使用技巧
UPS電源對(duì)保護(hù)數(shù)據(jù)和機(jī)器設(shè)備不受損害有很重要的作用。因此，正確使用和維護(hù)UPS，就顯得相當(dāng)重要。其實(shí)，合理地維護(hù)和使用UPS，是需要貫穿UPS的整個(gè)生命周期的。為保證其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命，在使用與維護(hù)中應(yīng)注意以下幾方面。
2011-08-09
UPS電源 UPS 蓄電池 充電
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2011西部電子論壇 解讀西部電子設(shè)計(jì)行業(yè)四大亮點(diǎn)
隨著國(guó)家新的“西部大開(kāi)發(fā)”戰(zhàn)略的實(shí)施，中國(guó)西部迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī)，尤其是具有自己獨(dú)特“后發(fā)優(yōu)勢(shì)”的西部電子行業(yè)也將得到快速穩(wěn)定的增長(zhǎng)。由CNT Networks和中國(guó)（西部）電子展主辦的2011西部電子論壇，即將于8月23日-27日在成都和西安兩個(gè)西部電子重鎮(zhèn)舉辦。
2011-08-09
2011西部電子論壇 可靠性設(shè)計(jì) 工業(yè)電子 新能源 分銷
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歐姆龍與IceMos開(kāi)始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)構(gòu)造MOSFET
美國(guó)IceMos Technology與歐姆龍開(kāi)始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作...
2011-08-09
MEMS工藝 n型層 p型層 MOSFET
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