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電源應(yīng)用問題之應(yīng)用環(huán)境分析
本文簡述開關(guān)電源常見的應(yīng)用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對電源產(chǎn)品的主要影響機理，推薦與應(yīng)用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品，提升電源在不同應(yīng)用環(huán)境中的可靠性。
2022-09-14
開關(guān)電源 應(yīng)用環(huán)境 金升陽
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開啟大功率無線充電新時代
無線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1]，因此，其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) Qi 在無線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。
2022-09-14
無線充電 WLC1115 發(fā)射器
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢
瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能、充電樁等領(lǐng)域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開關(guān)
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常見的觸摸開關(guān)，你了解多少？
觸摸開關(guān)是一種公認(rèn)的電氣開關(guān)，與同類機械開關(guān)一樣通過手動操作接通或斷開電路。這種開關(guān)最初在20世紀(jì)80年代初是用作鍵盤和鍵盤的薄膜或絲網(wǎng)印刷開關(guān)的，由于其性能不盡如人意且缺乏觸覺反饋，在推廣之處遇到了阻力。然而，在20世紀(jì)80年代末，在設(shè)計中納入金屬拱頂?shù)陌姹精@得了更廣泛的普及，這要...
2022-09-13
觸摸開關(guān) DigiKey
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理
數(shù)字晶體管（Digital Transistor），英文名為Bias Resistor Transistor，是帶電阻的晶體管，有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻，一般稱為R1，有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻，類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制，電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配，因此數(shù)字晶體管的品種...
2022-09-09
數(shù)字晶體管 原理
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瑞能半導(dǎo)體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅(qū)動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機遇和前景，重點結(jié)合了最...
2022-09-08
瑞能半導(dǎo)體 碳化硅 MOSFET
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二極管的損耗與波形系數(shù)
整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，比DC/AC 逆變器功率范圍更廣，數(shù)量更多。為了降低諧波電流，有源PFC應(yīng)用越來越廣泛，但二極管整流在電機驅(qū)動中還是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計非常重要。
2022-09-08
二極管 損耗 波形系數(shù)
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輸出可調(diào)電源的設(shè)計思路
隨著電器的豐富，用電場所的增加，常規(guī)的輸出電壓已不滿足多樣化使用場景的要求。特別當(dāng)用電設(shè)備與供電設(shè)備距離較遠時，途中導(dǎo)線帶來的電壓降無法忽略，它會降低負(fù)載的實際供電電壓，影響用電質(zhì)量。為了兼顧所有用電者，輸出可調(diào)的電源應(yīng)運而生。
2022-09-08
電源 可靠性 電壓調(diào)整
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