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借助更多的選項響應(yīng)正反饋

發(fā)布時間:2023-07-24 來源:Qorvo 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】負(fù)反饋什么時候會變成正反饋?當(dāng)控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計人員提供理想性能和多種器件選擇,同時支持更高的設(shè)計靈活性,從而實現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計。


這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。


反饋是件好事,控制工程師希望收到負(fù)反饋,以及良好的增益和相位裕度,而商人則更喜歡正反饋,比如:客戶要求 750V 級 UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 有更多的選項。UnitedSiC 的 18 毫歐和 60 毫歐器件在市場占據(jù)領(lǐng)先地位,但在有些應(yīng)用中,更低電阻部件和更高中間值更有優(yōu)勢。這取決于具體應(yīng)用和預(yù)算,導(dǎo)通電阻非常低的單個高端 SiC FET 占用空間非常小,裝配起來也較簡單,但將低成本部件并聯(lián)也能得到相同的導(dǎo)通電阻,且通常也同樣有效,尤其是有一些散熱空間時。然而,這需要將器件并聯(lián),并需要更多的設(shè)計工作。


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第 4 代 SiC FET 系列增添了更多部件


為實現(xiàn)這一靈活性,UnitedSiC 推出了導(dǎo)通電阻為 23、33 和 44 毫歐的第 4 代 750V SiC FET,以及 6、9 和 11 毫歐部件,這是在已推出的 18 和 60 毫歐器件的基礎(chǔ)上做出的一次重大改進(jìn)。如今,客戶可以根據(jù)其特定的熱力工況和運(yùn)行條件進(jìn)行混合搭配,以實現(xiàn)價格和性能的最佳組合,或許還可以根據(jù)應(yīng)用需求或多或少地并聯(lián)一些低成本部件,使其適用于不同設(shè)計,從而享受這些低成本部件的批發(fā)價格。


并聯(lián) SiC FET 很容易,而且柵極驅(qū)動功率非常低,使得并聯(lián)產(chǎn)生的額外功率通常都無關(guān)緊要。由于這些器件的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),所以自然能實現(xiàn)均流,此外還有一個額外的相關(guān)優(yōu)勢,即與單個 9 毫歐器件相比,兩個并聯(lián)的 18 毫歐器件的總傳導(dǎo)損耗更低。這是因為與單個器件相比,這兩個器件各流過一半的電流,產(chǎn)生的功率也只有一半,每個器件的溫升也更低,而且導(dǎo)通電阻的增幅也會按比例減少。此外,隨著結(jié)溫的降低,可靠性也自然會提高,從而為已經(jīng)很高的 SiC 最大值提供更多的裕量。UnitedSiC 基于網(wǎng)絡(luò)的 FET-Jet 計算器現(xiàn)已推出第 2 個版本,可用于查看任意數(shù)量的并聯(lián) SiC FET 在各種應(yīng)用和運(yùn)行條件下的效果,并提供了一些實際損耗和溫升的數(shù)據(jù)。


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圖 1:競爭激烈環(huán)境下 UnitedSiC 全新 750V SiC FET 系列新增產(chǎn)品


第 4 代 SiC FET 仍為行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)


該系列的新增產(chǎn)品與舊有產(chǎn)品一樣具有出色的品質(zhì)因數(shù),并采用了同樣先進(jìn)的第4 代制造工藝,比如:可減少基材傳導(dǎo)損耗的晶圓減薄技術(shù),以及可實現(xiàn)最低結(jié)-殼熱阻和相應(yīng)低結(jié)溫的銀燒結(jié)晶粒貼裝技術(shù)。這些部件采用 TO-247 3 引腳封裝,且在需要采用源極開爾文連接時,還可以使用 4 引腳封裝。圖1 總結(jié)了與SiC MOSFET 競爭產(chǎn)品相比,新型 750V SiC FET 的優(yōu)勢,并且不要忘了, SiC MOSFET的 額定電壓僅為 650V。


UnitedSiC 750V SiC FET 系列提供更靈活廣泛的部件選擇,可用于許多應(yīng)用。而且符合 AEC-Q101 汽車級認(rèn)證要求,因此可用于牽引逆變器、車載和非車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及無線充電,以實現(xiàn)比 650V 額定部件更高的效率和電壓裕度。在 AC 和 DC 固態(tài)斷路器應(yīng)用中,低傳導(dǎo)損耗對提高效率和縮小尺寸至關(guān)重要,因此超低導(dǎo)通電阻具有重要價值。一般來說,在工業(yè)和 IT 功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品中,第 4 代 SiC FET 還可以提高硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能。


請您繼續(xù)提供反饋,UnitedSiC 已根據(jù)您的需求優(yōu)化了環(huán)路補(bǔ)償,以實現(xiàn)快速響應(yīng),提供更多的選項。


來源:Qorvo Power

作者:UnitedSiC現(xiàn)Qorvo



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