【導(dǎo)讀】在上一篇文章中,作為介紹驅(qū)動器源極引腳效果的前提,我們了解了在沒有驅(qū)動器源極引腳的以往封裝MOSFET(以下稱“以往MOSFET”)中的開關(guān)工作期間的電壓。在本文中,我們將一起了解具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅(qū)動器源極引腳的效果。
本文的關(guān)鍵要點
?具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
?具備驅(qū)動器源極引腳,可以提高導(dǎo)通速度。
在上一篇文章中,作為介紹驅(qū)動器源極引腳效果的前提,我們了解了在沒有驅(qū)動器源極引腳的以往封裝MOSFET(以下稱“以往MOSFET”)中的開關(guān)工作期間的電壓。在本文中,我們將一起了解具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅(qū)動器源極引腳的效果。
有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果
左下圖是以往MOSFET的驅(qū)動電路,右下圖是具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動電路。不同的是驅(qū)動電路的回流線的連接方式,以往MOSFET是連接到源極(Source)引腳,而具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET是連接到驅(qū)動器源極引腳(Driver Source)引腳,其源極是一個單獨的電源(Power Source)引腳。此外,每個藍(lán)色箭頭表示開關(guān)工作中的電壓。
如藍(lán)色箭頭所示,兩者在開關(guān)工作中的電壓是相同的。再次提一下,MOSFET被施加VG并導(dǎo)通后,ID增加,LSOURCE沿圖中(I)的方向產(chǎn)生VLSOURCE。由于電流IG流入柵極引腳,因RG_EXT產(chǎn)生壓降VRG_EXT(I)。
如上所述,兩者產(chǎn)生的電壓是一樣的,但在以往MOSFET的情況下,VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在導(dǎo)通時的驅(qū)動電路網(wǎng)中,因此MOSFET的導(dǎo)通工作所需的芯片上的電壓VGS_INT會減少,最終導(dǎo)致導(dǎo)通速度降低。而在具有驅(qū)動器源極引腳的情況下,ID會流向電源(Power Source)引腳,不流向驅(qū)動器源極(Driver Source)引腳,這部分不包含在驅(qū)動電路網(wǎng)中,因此可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
如果具備驅(qū)動器源極引腳,則可以去掉
項(=VLSOURCE),可以看出這部分電壓不會影響VGS_INT。這就是驅(qū)動器源極引腳的效果,可以提高導(dǎo)通速度。
在下一篇文章中,我們將通過工作波形來了解驅(qū)動器源極引腳的效果。
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