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如何利用MP5515預防突發(fā)電源故障

發(fā)布時間:2022-04-21 來源:MPS 責任編輯:wenwei

【導讀】電源故障往往會產(chǎn)生多米諾骨牌效應(yīng),導致系統(tǒng)故障和數(shù)據(jù)丟失,并對服務(wù)器和設(shè)備造成損壞。本文將介紹如何使用 MP5515 來保護固態(tài)硬盤 (SSD) ,以避免其受到突發(fā)斷電的影響。

 

固態(tài)硬盤遭遇電源故障通常會帶來三項主要損失:


?用戶寫入數(shù)據(jù)丟失

?閃存轉(zhuǎn)換層映射信息丟失

?物理損壞風險增大。固態(tài)硬盤在讀寫過程中如果受到強烈震動或突然斷電,磁頭會劃傷介質(zhì)


使用 MP5515 實現(xiàn)能量存儲與釋放管理


MP5515 是一款具備輸入電源調(diào)節(jié)能力的電源管理芯片(PMIC),可為企業(yè)固態(tài)硬盤、非易失性雙列直插式存儲器模塊 (NVIDMM) 以及其他應(yīng)用提供緊湊、高效的備用電源管理解決方案。該芯片包含比超級電容更加可靠的鉭電容,另外還可以檢測電路的健康狀況以保證數(shù)據(jù)安全。


MP5515采用高壓儲能方式,集成了升壓、降壓、輸入限流、輸入反向電流閉鎖保護,以及斷電監(jiān)測功能。它只需一個電感器和小型反饋電壓電阻即可啟動系統(tǒng)。

 

正常工作期間,MP5515 將能量存儲在高壓電容器中。一旦發(fā)生電源故障,MP5515可以將能量從存儲電容器傳輸?shù)娇偩€電壓線上。這種能量傳輸為系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的備用電源。

 

MP5515 的其他主要特性包括:


?2.7V 至 18V 的寬工作輸入電壓 (VIN) 范圍

?高達 32V 的可調(diào)存儲電壓

?高達 6A 的可調(diào)輸入限流

?5A 降壓負載能力

?可調(diào)VB 電壓 (VB) 上升斜率

?集成14mΩ MOSFET實現(xiàn)輸入限流

?輸入過壓保護 (OVP)

?反向電流保護 (RCP)

?輸入電源故障指示器

?備用電容健康測試

?集成電壓、電流和溫度檢測

 

MP5515 最大限度地減少了標準外部元器件的使用,采用 30-引腳 QFN (5mmx5mm)封裝。該器件還提供 I2C通信以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。下面將詳細討論 MP5515 在能量儲能與釋放管理方面所具有的戰(zhàn)略優(yōu)勢。


應(yīng)對突發(fā)斷電


為了最大限度地減少數(shù)據(jù)丟失,MP5515 設(shè)計有一個包含高能量密度電容器的斷電檢測電路。圖 1 所示為采用MP5515 的集成解決方案。


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圖1:采用MP5515 的集成解決方案


電熔絲(E-fuse)模塊持續(xù)監(jiān)測固態(tài)硬盤的電源電壓。當電源電壓下降至設(shè)定的閾值,即表示外部電源突然發(fā)生故障,電熔絲將切斷電源電路。充足的電源保護窗口期為數(shù)據(jù)從緩存閃存至NAND 提供了足夠的時間。之后,電容器形成放電路徑;一旦電源再次接通,電容器會快速充電。


電熔絲和集成雙向升降壓


當系統(tǒng)供電充足時,輸入到輸出的隔離電路需要二極管、降壓和升壓。采用5個或以上FET和二極管不僅會增加功耗,還會降低效率。但MP5515通常只需要其集成的14mΩ MOSFET 就能實現(xiàn)輸入限流。

 

當發(fā)生異常電源故障時,MP5515 的集成雙向升降壓變換器只有三個 FET,這有助于降低功耗,同時最小化整個解決方案的尺寸。圖 2 顯示了當 VB為 7.5V 時,MP5515 在待機功耗模式下的效率曲線。


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圖 2:MP5515 降壓效率曲線(VB = 7.5V)


圖 3 顯示了當 VB為 10V 時,MP5515 在待機功耗模式下的效率曲線。


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圖 3:MP5515 降壓效率曲線(VB = 10V)


更小的儲能電容器


依照能量守恒定律,當儲能電容器電壓升高時,其容量顯著降低。MP5515可以將儲能電容器的電壓提高到36V,在恒定能量需求之下,電容可降至 2.5mF ,ESR也同時降低。而通常情況下,儲能電容的額定電壓為18V,電容為8.4mF。


高度集成的芯片


傳統(tǒng)解決方案通常需要將至少4個芯片與復雜的外圍硬件電路和軟件技術(shù)相匹配。而MP5515 提供了僅需單個電感的集成解決方案。 圖 4 所示為MP5515 的典型應(yīng)用電路。


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圖 4:MP5515 典型應(yīng)用電路及其外部元器件


由圖 5可以看出,MP5515最大限度地減少了所需的外部元器件數(shù)量。


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圖5: MP5515的PCB布局


電容健康檢測


在固態(tài)硬盤的使用過程中,頻繁的充放電過程使電容器容易老化,儲能容量也會隨時間而降低。為了解決這個問題,MP5515 集成了電容健康測試功能,它通過STRG 與RTEST之間連接的一個外部電阻器對儲能電容器進行放電。檢測結(jié)果存儲在微控制器的數(shù)據(jù)寄存器中,并可通過 I2C接口讀取。

 

根據(jù)能量守恒公式,可以輕松推導和計算出儲能電容,然后確定是否需要更換電容器。圖 6 顯示了 VINITIAL(DATA2), VFINAL(DATA1) 和時間計數(shù)器的計算方法,這些參數(shù)都用于估算電容。


6.png

圖 6:MP5515 儲能電容檢測電路電源


備份模式的快速過渡


降壓模式支持最大電流限制功能,以限制釋放的電流。在每個降壓模式開關(guān)周期中,直到電感電流降至谷電流限值時,上管MOSFET (HS-FET)才會導通。當雙向變換器通過儲能電容釋放能量時,采用恒定導通時間 (COT) 控制,以最大限度地降低器件從充電模式轉(zhuǎn)換到備用模式時產(chǎn)生的壓降。

 

不同總線負載(其中 VB 負載為 1A 或 5A)下 ,VIN 斷電后的備用電源釋放過程如圖 7 所示。


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圖7: MP5515系統(tǒng)斷電


圖 8 顯示了MP5515 斷電的波形細節(jié)。


8.jpg

圖 8:MP5515 斷電轉(zhuǎn)換波形


圖 9 顯示出MP5515 對270kHz 至 1.25MHz 的寬頻率范圍、以及各種電感的支持。


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圖9: MP5515支持寬頻率范圍


通過 I2C 通信進行靈活的參數(shù)配置


MP5515 可以通過 MPS 的 I2C GUI 進行靈活定制,從而實現(xiàn)強大的功能。除了前文所述的MP5515主要特性以外,可以靈活配置參數(shù)的功能特性如下:


?儲能電容健康檢測

?具有電壓、電流和溫度檢測功能的 10 位 ADC

?儲能提升

?可調(diào)降壓頻率

?輸入恢復控制

?系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測

?中斷屏蔽控制


圖 10 顯示了MPS提供的通信套件 (EVKT-USBI2C-02).


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圖 10:MPS EVKT-USBI2C-02 通信接口


圖 11 顯示了采用 MP5515 、 MP5470 和 MP28167-A 實現(xiàn)的電源故障保護電路。


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圖 11:電源故障保護電路


除了MP5515,MPS 還提供 MP5505 、MP5512 以及其他斷電保護解決方案。


結(jié)論


保護固態(tài)硬盤免受突發(fā)電源故障的影響對于維持串聯(lián)設(shè)備的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。MPS 不斷深耕該領(lǐng)域,推出能夠適應(yīng)眾多應(yīng)用的定制化儲能解決方案,為設(shè)備的長期穩(wěn)定運行保駕護航。這些應(yīng)用涵蓋了運輸、網(wǎng)絡(luò)通信、工廠自動化設(shè)備、監(jiān)控系統(tǒng)、智能車載監(jiān)控和數(shù)據(jù)中心。MP5515、MP5470、MP28167-A、MP5505 和 MP5512,多樣的能量管理解決方案將為您的設(shè)備供電與保護提供有力的支持。



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