正激有源鉗位的種類和選擇

鉗位管上鉗位拓?fù)浜豌Q位管下鉗位拓?fù)?，上鉗位電路采用N MOS管，下鉗位電路采用PMOS管，那么在實際的設(shè)計中我們?nèi)绾芜x擇呢？

我們看上鉗位MOS管和變壓繞并聯(lián)，和開關(guān)管串聯(lián)，而下鉗位管是和開關(guān)管并聯(lián)，和變壓器繞組串聯(lián)，繞組電壓要低于開關(guān)電壓，所以在實際設(shè)計中高壓的PMOS管不容易找，根據(jù)這個特點，在高輸入電壓中如200V以上的設(shè)計中我們要考慮使用上鉗位，但是上鉗位因為MOS管的S腳是接在浮動點上，所以驅(qū)動電路必須設(shè)計成隔離驅(qū)動，這個驅(qū)動增加了成本和電路復(fù)雜，所以在低壓的模塊電源應(yīng)用中，大多數(shù)都是采用PMOS管下鉗位電路，因為其PMOS管電壓不高，而且驅(qū)動電路簡單。

正激有源鉗位的原理和誤區(qū)
鉗位管被關(guān)斷后，開關(guān)管還沒有導(dǎo)通的死區(qū)時間里，反向流動的諧振電流被鉗位開關(guān)強制關(guān)斷，而根據(jù)電感電流慣性作用，需要繼續(xù)向電感流動，這時將抽取存儲在開關(guān)管結(jié)電容里的能量，而結(jié)電容要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于鉗位電容，存儲的能量也非常小，所以結(jié)電容的電壓迅速下降，也就是開關(guān)管的VDS電壓迅速下降。

在理想狀態(tài)下可以理解下降到零，但實際情況是，當(dāng)VDS電壓下降到Vin電壓時，也就原邊繞組電壓下降到0V后，如果繼續(xù)下降將造成原邊繞組的電壓變成上正下負(fù)的電壓，這個電壓被折算到副邊，將導(dǎo)致副邊的整流管導(dǎo)，副邊繞組傳輸能量。這個過程將產(chǎn)生一個上正下負(fù)的電流，而我們的諧振電流確是一個下負(fù)上正的電流，這個兩個反向的電流將互相制衡，使得VDS電壓維持在一個動態(tài)平衡的作用上。

正激有源鉗位的開關(guān)實現(xiàn)ZVS不是不可能產(chǎn)生，而是需要很大的勵磁電流，勵磁電流遠(yuǎn)大于副邊折算過來的電流，這樣就要求變壓器的原邊勵磁電感值非常小，這樣把△I和△B變得很大，在產(chǎn)品中做不到。

在分析有源鉗位電路拓?fù)涞臅r候，要不斷和諧振正激進(jìn)行比較，才能更深刻的理解它，例如：為什么諧振正激的諧振電容那么小而正激有源鉗位的諧振電容需要大？

同樣都是起去磁的作用，諧振正激的諧振電容是沒有開關(guān)控制的，存儲的能量幾乎全部要通過開關(guān)管釋放掉，所以如果取值太大就大大的增加了開關(guān)管導(dǎo)通的峰值電流，增加了開管損耗和導(dǎo)通損耗，嚴(yán)重的還會損害開關(guān)管。而有源鉗位的電容則可以加大，因為在開關(guān)管的導(dǎo)通前，鉗位管就被關(guān)斷了，所以鉗位電容的能量沒有向開關(guān)管釋放，所以也就沒有增加開關(guān)的任何損耗，鉗位電容的選擇一般都在諧振正激諧振電容的100倍以上，主要的目的是為了讓開關(guān)管VDS波形/繞組波形更加平；嚴(yán)重的還會損害開關(guān)管。而有源鉗位的電容則可以加大，因為在開關(guān)管的導(dǎo)通前，鉗位管就被關(guān)斷了，所以鉗位電容的能量沒有向開關(guān)管釋放，所以也就沒有增加開關(guān)的任何損耗

鉗位電容的選擇一般都在諧振正激諧振電容的100倍以上，主要的目的是為了讓開關(guān)管VDS波形/繞組波形更加平。