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為什么要在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻?
發(fā)布時(shí)間:2018-04-18 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明,為了獲得穩(wěn)定性,是不是真的必須把一個(gè) 100 Ω 的電阻放在 MOSFET 柵極前。雖然我們對(duì)這個(gè)問(wèn)題的答案非??隙?,但你們或許會(huì)繼續(xù)問(wèn)——“為什么呢?他的具體作用是什么呢?電阻值為什么是 100 Ω 呢”為了滿足你們的這種好奇心,我們接下來(lái)將通過(guò)一個(gè)故事來(lái)探討這個(gè)問(wèn)題。擁有30 年經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師 Gureux 對(duì)他的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了監(jiān)督,并全程提供專家指導(dǎo)。
高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介
圖1中的電路所示為一個(gè)典型的高端電流檢測(cè)示例。
圖1. 高端電流檢測(cè)
負(fù)反饋試圖在增益電阻RGAIN上強(qiáng)制施加電壓VSENSE。通過(guò)RGAIN的電流流過(guò)P溝道MOSFET (PMOS),進(jìn)入電阻ROUT,該電阻形成一個(gè)以地為基準(zhǔn)的輸出電壓??傇鲆鏋?
電阻ROUT上的可選電容 COUT 的作用是對(duì)輸出電壓濾波。即使 PMOS 的漏極電流快速跟隨檢測(cè)到的電流,輸出電壓也會(huì)展現(xiàn)出單極點(diǎn)指數(shù)軌跡。
原理圖中的電阻 RGATE 將放大器與PMOS柵極隔開(kāi)。其值是多少?經(jīng)驗(yàn)豐富的 Gureux 可能會(huì)說(shuō):“當(dāng)然是100 Ω!”
嘗試多個(gè)Ω值
我們發(fā)現(xiàn),我們的朋友Neubean,也是Gureux的學(xué)生,正在認(rèn)真思考這個(gè)柵極電阻。Neubean在想,如果柵極和源極之間有足夠的電容,或者柵極電阻足夠大,則應(yīng)該可以導(dǎo)致穩(wěn)定性問(wèn)題。一旦確定RGATE和CGATE相互會(huì)產(chǎn)生不利影響,則可以揭開(kāi)100 Ω或者任何柵極電阻值成為合理答案的原因。
圖2所示為用于凸顯電路行為的LTspice仿真示例。Neubean通過(guò)仿真來(lái)展現(xiàn)穩(wěn)定性問(wèn)題,他認(rèn)為,穩(wěn)定性問(wèn)題會(huì)隨著RGATE的增大而出現(xiàn)。畢竟,來(lái)自RGATE和CGATE的極點(diǎn)應(yīng)該會(huì)蠶食與開(kāi)環(huán)關(guān)聯(lián)的相位裕量。然而,令Neubean感到驚奇的是,在時(shí)域響應(yīng)中,所有RGATE值都未出現(xiàn)任何問(wèn)題。
圖2. 高端電流檢測(cè)仿真
結(jié)果發(fā)現(xiàn),電路并不簡(jiǎn)單
在研究頻率響應(yīng)時(shí),Neubean意識(shí)到,需要明確什么是開(kāi)環(huán)響應(yīng)。如果與單位負(fù)反饋結(jié)合,構(gòu)成環(huán)路的正向路徑會(huì)從差值開(kāi)始,結(jié)束于結(jié)果負(fù)輸入端。Neubean然后模擬了VS/(VP – VS)或VS/VE,并將結(jié)果繪制成圖。圖3所示為該開(kāi)環(huán)響應(yīng)的頻域圖。在圖3的波特圖中,直流增益很小,并且交越時(shí)未發(fā)現(xiàn)相位裕量問(wèn)題。事實(shí)上,從整體上看,這幅圖顯示非常怪異,因?yàn)榻辉筋l率小于0.001 Hz。
圖3. 從誤差電壓到源電壓的頻率響應(yīng)
將電路分解成控制系統(tǒng)的結(jié)果如圖4所示。就像幾乎所有電壓反饋運(yùn)算放大器一樣,LTC2063具有高直流增益和單極點(diǎn)響應(yīng)。該運(yùn)算放大器放大誤差信號(hào),驅(qū)動(dòng)PMOS柵極,使信號(hào)通過(guò)RGATE– CGATE濾波器。CGATE和PMOS源一起連接至運(yùn)算放大器的–IN輸入端。RGAIN從該節(jié)點(diǎn)連接至低阻抗源。即使在圖4中,可能看起來(lái)RGATE– CGATE濾波器應(yīng)該會(huì)導(dǎo)致穩(wěn)定性問(wèn)題,尤其是在RGATE比RGATE大得多的情況下。畢竟,會(huì)直接影響系統(tǒng)RGATE電流的CGATE電壓滯后于運(yùn)算放大器輸出變化。
圖4. 高端檢測(cè)電路功能框圖
對(duì)于為什么RGATE和CGATE沒(méi)有導(dǎo)致不穩(wěn)定,Neubean提供了一種解釋:“柵極源為固定電壓,所以,RGATE – CGATE電路在這里是無(wú)關(guān)緊要的。你只需要按以下方式調(diào)整柵極和源即可。這是一個(gè)源極跟隨器。”
經(jīng)驗(yàn)更豐富的同事Gureux說(shuō):“實(shí)際上,不是這樣的。只有當(dāng)PMOS作為電路里的一個(gè)增益模塊正常工作時(shí),情況才是這樣的。”
受此啟發(fā),Neubean思考了數(shù)學(xué)問(wèn)題——要是能直接模擬PMOS源對(duì)PMOS柵極的響應(yīng),結(jié)果會(huì)怎樣?換言之,V(VS)/V(VG)是什么?Neubean趕緊跑到白板前,寫下了以下等式:
其中,
運(yùn)算放大器增益為A,運(yùn)算放大器極點(diǎn)為ωA。
Neubean立刻就發(fā)現(xiàn)了重要項(xiàng)gm。什么是gm?對(duì)于一個(gè)MOSFET,
看著圖1中的電路,Neubean心頭一亮。當(dāng)通過(guò)RSENSE的電流為零時(shí),通過(guò)PMOS的電流應(yīng)該為零。當(dāng)電流為零時(shí),gm為零,因?yàn)镻MOS實(shí)際上是關(guān)閉的,未被使用、無(wú)偏置且無(wú)增益。當(dāng)gm = 0時(shí),VS/VE為0,頻率為0 Hz,VS/VG為0,頻率為0 Hz,所以,根本沒(méi)有增益,圖3中的曲線圖可能是有效的。
試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題
帶來(lái)這點(diǎn)啟示,Neubean很快就用非零的ISENSE嘗試進(jìn)行了一些仿真。
圖5為從VE到VS的響應(yīng)增益/相位圖,該曲線跨越0dB以上到0dB以下,看起來(lái)要正常得多。圖5應(yīng)該顯示大約2 kHz時(shí),100 Ω下有大量的PM,100 kΩ下PM較少,1 MΩ下甚至更少,但不會(huì)不穩(wěn)定。
圖5. 非零檢測(cè)電流條件下從誤差電壓到源電壓的頻率響應(yīng)
Neubean來(lái)到實(shí)驗(yàn)室,用高端檢測(cè)電路LTC2063得到一個(gè)檢測(cè)電流。他插入一個(gè)高RGATE值,先是100 kΩ,然后是1 MΩ,希望能看到不穩(wěn)定的行為,或者至少出現(xiàn)某類振鈴。不幸的是,他都沒(méi)有看到。他嘗試加大MOSFET里的漏極電流,先增加ISENSE,然后使用較小的RGAIN電阻值。結(jié)果仍然沒(méi)能使電路出現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題。
他又回到了仿真,嘗試用非零ISENSE測(cè)量相位裕量。即使在仿真條件下也很難,甚至不可能發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題或者低相位裕度問(wèn)題。
Neubean找到Gureux,問(wèn)他為什么沒(méi)能使電路變得不穩(wěn)定。Gureux建議他研究一下具體的數(shù)字。Neubean已經(jīng)對(duì)Gureux高深莫測(cè)的話習(xí)以為常,所以,他研究了RGATE和柵極總電容形成的實(shí)際極點(diǎn)。在100 Ω和250 pF下,極點(diǎn)為6.4 MHz;在100 kΩ下,極點(diǎn)為6.4 kHz;在1 MΩ下,極點(diǎn)為640 Hz。LTC2063增益帶寬積(GBP)為20 kHz。當(dāng)LTC2063具有增益時(shí),閉環(huán)交越頻率可能輕松下滑至RGATE– CGATE極點(diǎn)的任何作用以下。
是的,可能出現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題
意識(shí)到運(yùn)算放大器動(dòng)態(tài)范圍需要延伸至RGATE– CGATE極點(diǎn)的范圍以外,Neubean選擇了一個(gè)更高增益帶寬積的運(yùn)放。LTC6255 5 V運(yùn)算放大器可以直接加入電路,增益帶寬積也比較高,為6.5 MHz。
Neubean急切地用電流、LTC6255、100 kΩ柵極電阻和300 mA檢測(cè)電流進(jìn)行了仿真。
然后,Neubean在仿真里添加了RGATE。當(dāng)RGATE足夠大時(shí),一個(gè)額外的極點(diǎn)可能會(huì)使電路變得不穩(wěn)定。
圖6和圖7顯示的是在高RGATE值條件下的仿真結(jié)果。當(dāng)檢測(cè)電流保持300 mA不變時(shí),仿真會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定情況。
圖6. 有振鈴的時(shí)域圖
圖7. 增加電流(VE至VS)后的正常波特圖,相位裕量表現(xiàn)糟糕
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
為了了解電流是否會(huì)在檢測(cè)非零電流時(shí)出現(xiàn)異常行為,Neubean用不同步進(jìn)的負(fù)載電流和三個(gè)不同的RGATE值對(duì)LTC6255進(jìn)行了測(cè)試。在瞬時(shí)開(kāi)關(guān)切入更多并行負(fù)載電阻的情況下,ISENSE從60 mA的基數(shù)過(guò)度到較高值220 mA。這里沒(méi)有零ISENSE測(cè)量值,因?yàn)槲覀円呀?jīng)證明,那種情況下的MOSFET增益太低。
實(shí)際上,圖8最終表明,使用100 kΩ和1 MΩ電阻時(shí),穩(wěn)定性確實(shí)會(huì)受到影響。由于輸出電壓會(huì)受到嚴(yán)格濾波,所以,柵極電壓就變成了振鈴檢測(cè)器。振鈴表示相位裕量糟糕或?yàn)樨?fù)值,振鈴頻率顯示交越頻率。
圖8. RGATE = 100 Ω,電流從低到高瞬態(tài)
圖9. RGATE = 100 Ω,電流從高到低瞬
圖10. RGATE = 100 kΩ,電流從低到高瞬態(tài)
圖11. RGATE = 100 kΩ,電流從高到低瞬態(tài)
圖12. RGATE = 1 MΩ,電流從低到高瞬態(tài)
圖13. RGATE = 1 MΩ,電流從高到低瞬態(tài)
頭腦風(fēng)暴時(shí)間
Neubean意識(shí)到,雖然看到過(guò)許多高端集成電流檢測(cè)電路,但不幸的是,工程師根本無(wú)力決定柵極電阻,因?yàn)檫@些都是集成在器件當(dāng)中的。具體的例子有AD8212、LTC6101、LTC6102和LTC6104高電壓、高端電流檢測(cè)器件。事實(shí)上,AD8212采用的是PNP晶體管而非PMOS FET。他告訴Gureux說(shuō):“真的沒(méi)關(guān)系,因?yàn)楝F(xiàn)代器件已經(jīng)解決了這個(gè)問(wèn)題。”
好像早等著這一刻,教授幾乎打斷了Neubean的話,說(shuō)道:“我們假設(shè),你要把極低電源電流與零漂移輸入失調(diào)結(jié)合起來(lái),比如安裝在偏遠(yuǎn)地點(diǎn)的電池供電儀器。你可能會(huì)使用LTC2063或LTC2066,將其作為主放大器?;蛘吣阋ㄟ^(guò)470 Ω分流電阻測(cè)到低等級(jí)電流,并盡量準(zhǔn)確、盡量減少噪聲;那種情況下,你可能需要使用ADA4528,該器件支持軌到軌輸入。在這些情況下,你需要與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路打交道。”
所以……
顯然,只要柵極電阻過(guò)大,使高端電流檢測(cè)電路變得不穩(wěn)定是有可能的。Neubean向樂(lè)于助人的老師Gureux談起了自己的發(fā)現(xiàn)。Gureux表示,事實(shí)上,RGATE確實(shí)有可能使電路變得不穩(wěn)定,但開(kāi)始時(shí)沒(méi)能發(fā)現(xiàn)這種行為是因?yàn)閱?wèn)題的提法不正確。需要有增益,在當(dāng)前電路中,被測(cè)信號(hào)需要是非零。
Gureux回答說(shuō):“肯定,當(dāng)極點(diǎn)侵蝕交越處的相位裕量時(shí),就會(huì)出現(xiàn)振鈴。但是,你增加1 MΩ柵極電阻的行為是非?;闹嚨?,甚至100 kΩ也是瘋狂的。記住,一種良好的做法是限制運(yùn)算放大器的輸出電流,防止其將柵極電容從一個(gè)供電軌轉(zhuǎn)向另一個(gè)供電軌。”
Neubean表示贊同,“那么,我需要用到哪種電阻值?”
Gureux自信地答道:“100 Ω”。
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