兩款新型產(chǎn)品保證有10萬億次的讀寫次數(shù),大約是現(xiàn)有芯片的10倍,適合用于智能電表、工業(yè)機械和醫(yī)療設(shè)備。與容量相同的EEPROM相比,寫入時可減少92%的功耗。另外,由于新款FRAM可以把所有系統(tǒng)存儲器器件(主要包括EEPROM、SRAM和用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的電池)所需的技術(shù)集成到單一芯片上,因此可大幅降低器件成本,占板面積和功耗。這相應(yīng)地極大地有助于開發(fā)小型和節(jié)能設(shè)備,使維修更加簡易,因此不再需要備用電池。
FRAM具有兩種特性:非易失性,即使關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù);隨機存取,可以快速寫入數(shù)據(jù)。即使發(fā)生突然電源故障和停電時,F(xiàn)RAM也可以安全存儲正在寫入的數(shù)據(jù),所以可以在斷電前保證立刻保護(hù)芯片信息和存儲數(shù)據(jù)。憑借該能力,自從1999年量產(chǎn)后,富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品一直廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化設(shè)備、測量設(shè)備、銀行終端以及醫(yī)療設(shè)備等。
對于包括智能電表和其它測量設(shè)備、工業(yè)機械以及醫(yī)療設(shè)備(如助聽器)-所有的這些設(shè)備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器-現(xiàn)在可以使用富士通半導(dǎo)體的新型FRAM產(chǎn)品取代傳統(tǒng)的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高,同時可使由于電壓突然下降或者停電引起的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險降至最低。針對寫入時所消耗的電量,新產(chǎn)品比EEPROM少消耗92%的電量,可以延長電池壽命。
作為對其FRAM 產(chǎn)品陣容的更新,富士通半導(dǎo)體最近開發(fā)了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit),這兩款產(chǎn)品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品讀寫次數(shù)提高到10萬億次,是富士通現(xiàn)行FRAM產(chǎn)品的10倍,因此可為實時連續(xù)數(shù)據(jù)記錄提供更好的支持。
樣品發(fā)布日期
展望未來,富士通半導(dǎo)體將繼續(xù)提供解決方案,幫助客戶提高終端產(chǎn)品的性能,促進(jìn)客戶現(xiàn)場設(shè)備的維護(hù),并最大程度地降低風(fēng)險。