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東京農(nóng)工大學開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復合而成的負極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱，該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。
2010-04-19
IR 導通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護市場將持續(xù)增長
2011年，市場預測預測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續(xù)成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護和電池的二次防護方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護 過壓保護 電路保護
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全球半導體設備資本支出衰退潮有望扭轉
國際研究暨顧問機構Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計結果，2009年全球半導體設備資本設備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設備支出大幅下滑47%，后端設備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導體設備 資本支出 衰退潮 扭轉
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多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結論來源于Bernreuter信息研究公司（以下簡稱Bernreuter研究）今日發(fā)布的最新研究報告《太陽能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料，但在該市場于2009年轉至供過于求的狀態(tài)之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
多晶硅 面臨 大幅震蕩 Bernreuter
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供貨商節(jié)制擴產(chǎn) 被動組件全年缺貨
被動組件自去年第四季起供應吃緊，廠商即使紛紛拉高產(chǎn)能利用率至滿水位，還是跟不上客戶拉貨的腳步，庫存逐步見底，國巨的成品庫存天數(shù)由上季的23天，到第一季一口氣掉到14天，為歷史最低庫存量。
2010-04-16
供貨商 節(jié)制擴產(chǎn) 被動組件 缺貨
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選擇合適的OVP、OCP元器件應對電路保護設計挑戰(zhàn)
隨著電子系統(tǒng)越來越復雜，對各種電子系統(tǒng)的可靠性要求不斷提高，各種電路保護元器件已經(jīng)成為電子系統(tǒng)中必不可少的組成部分，保護器件廠商也需要緊跟電路設計的趨勢開發(fā)出新型產(chǎn)品應對設計挑戰(zhàn)。
2010-04-16
電路保護 過壓 過流 SZ2010
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Cree 宣布推出業(yè)界最節(jié)能的照明級中性白光和暖白光 LED
LED 照明領域的市場領先者Cree公司日前宣布色溫介于2600 K-5000 K CCT 之間的暖白光與中性白光 XLamp? XP-G LED開始商用，這些獲獎的 XP-G LED 幫助 Cree 再次刷新了在整個白光頻譜范圍內(nèi)的最高光輸出和效率記錄，進而推動 LED 替代低效燈泡、進入室外及商業(yè)照明領域等普通照明應用的發(fā)展。
2010-04-16
Cree 照明 LED 燈泡
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TDK開發(fā)出Serial ATAⅡ?qū)腟HG2A系列Half Slim Type SSD
TDK開發(fā)出Serial ATAⅡ?qū)腟HG2A系列Half Slim Type SSD，是世界首次公開壽命監(jiān)控軟件、高速度、高信賴性、長壽命的Half Slim型SATA2 固態(tài)硬盤，日本首次*SLC閃存采用，使用電源保護電路，斷電耐受性達到業(yè)內(nèi)最高水平。
2010-04-16
硬盤 壽命監(jiān)控 Half Slim SATA2 固態(tài)硬盤
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