【導(dǎo)讀】從臺(tái)達(dá)電子的上述專(zhuān)利來(lái)看，其采用的專(zhuān)利布局策略是基于一個(gè)大的電路結(jié)構(gòu)框架，在各個(gè)具體的擴(kuò)展電路上去改進(jìn)，以專(zhuān)利族1為代表，這種方式可以使得這些專(zhuān)利作為同族專(zhuān)利共同享有同一個(gè)最早優(yōu)先權(quán)，另外也能彌補(bǔ)單個(gè)專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不夠豐富的缺陷，便于專(zhuān)利在審查中的修改。這種專(zhuān)利布局方式在很多公司研發(fā)出了核心產(chǎn)品技術(shù)時(shí)通常會(huì)采用到的，比如之前所介紹的納微半導(dǎo)體的專(zhuān)利布局策略也是如此。
專(zhuān)利族1
首先介紹的是臺(tái)達(dá)電子以2016年7月6日為優(yōu)先權(quán)日的一個(gè)專(zhuān)利族，其中共計(jì)包括14件INPADOC同族專(zhuān)利，分別布局在中國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣以及美國(guó)。目前已授權(quán)的專(zhuān)利共計(jì)9件，分別是CN111211691B、TWI633754B、TWI686040B、TWI702798B、US10348286B2、US10498324B2、US10924105B2、US10826484B2、US10826479B2；處于審查中的有2件，分別是CN111969989A、CN114785094A；被駁回的有3件，分別是CN110011522A、CN107592015A、EP3742613A1。在已授權(quán)和審查中的11件專(zhuān)利中，目前已有9件專(zhuān)利被臺(tái)達(dá)電子轉(zhuǎn)移給了其子公司碇基半導(dǎo)體股份有限公司。
技術(shù)背景及問(wèn)題：
根據(jù)該專(zhuān)利族技術(shù)說(shuō)明書(shū)的記載，其所要解決的第一個(gè)問(wèn)題是，現(xiàn)有技術(shù)需要采用單獨(dú)的負(fù)電源來(lái)關(guān)斷常閉型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；第二個(gè)問(wèn)題是，現(xiàn)有的適用于硅金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓無(wú)法直接用于常閉型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，高電壓會(huì)損壞常閉型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。但實(shí)際上，上述專(zhuān)利有各自重點(diǎn)解決的更具體的技術(shù)問(wèn)題。以下通過(guò)各專(zhuān)利的改進(jìn)點(diǎn)來(lái)進(jìn)一步介紹。
解決技術(shù)手段：
如圖中所示，該專(zhuān)利族解決上述問(wèn)題的基礎(chǔ)方案包括：（1）采用了RC電路121與高壓VH、低壓VL電源配合產(chǎn)生正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓，（2）在柵極端加入了電壓鉗位電路122。
圖1
然而，根據(jù)我們上一期關(guān)于松下專(zhuān)利的介紹可知，臺(tái)達(dá)電子在2016年所提出的這兩個(gè)技術(shù)方案也并非是其首創(chuàng)的，因此，其專(zhuān)利中必然還有更多技術(shù)細(xì)節(jié)。
技術(shù)點(diǎn)1——電壓鉗位電路
關(guān)于電壓鉗位電路122，專(zhuān)利族中展示了多種不同的實(shí)現(xiàn)方式，包括二極管和/或齊納二極管，下圖中給出了采用兩個(gè)反向齊納二極管串聯(lián)構(gòu)成的電壓鉗位電路，該方案也正是中國(guó)同族專(zhuān)利CN111211691B獨(dú)權(quán)1所授權(quán)的技術(shù)方案。
圖2
技術(shù)點(diǎn)2——RRC電路
專(zhuān)利族中還展示了RC電路的多種變形實(shí)施例，通過(guò)在不同位置加入第二電阻構(gòu)成RRC電路，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)過(guò)沖電壓以及下沖電壓的改善，如下圖所示，這些方案則是同族專(zhuān)利US10498324B2獨(dú)權(quán)所保護(hù)的主要點(diǎn)。
圖3
技術(shù)點(diǎn)3——單向?qū)ㄔ?br style="padding: 0px; margin: 0px auto;"/>
在基礎(chǔ)方案的基礎(chǔ)上，專(zhuān)利族中的部分專(zhuān)利進(jìn)一步在RC電路上并聯(lián)連接了諸如二極管的單向?qū)ㄔ?，有助于有效抑制柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的震蕩現(xiàn)象，進(jìn)而避免開(kāi)關(guān)元件的誤導(dǎo)通。代表授權(quán)專(zhuān)利包括US10826479B2，TWI686040B，TWI702798B。
圖4
技術(shù)點(diǎn)4——電容放電電路
該技術(shù)點(diǎn)是美國(guó)專(zhuān)利US10826484B2所保護(hù)的重點(diǎn)，其主要采用了如下圖中所示的波形轉(zhuǎn)換電路120，其中加入了隔離單向?qū)щ娖骷?24以及一個(gè)PNP晶體管Q1。隔離單向?qū)щ娧b置 124 單向提供高電平VH，而 PNP晶體管Q1則是在控制器提供低電平VH時(shí)被導(dǎo)通，使得電容C1能夠通過(guò)電阻R放電至低電平VL2。
圖5
以上就是臺(tái)達(dá)電子在該INPADOC同族專(zhuān)利中所涉及的一些技術(shù)改進(jìn)點(diǎn)的介紹?？梢钥吹?，臺(tái)達(dá)電子所采用的策略是基于一個(gè)大的基本技術(shù)方案，在其基礎(chǔ)上再進(jìn)一步加入不同的變形示例，并解決更具體的技術(shù)問(wèn)題。這種專(zhuān)利布局策略一方面可以使得專(zhuān)利族內(nèi)的各個(gè)專(zhuān)利的方案都很豐富，另一方面也能讓后續(xù)專(zhuān)利享有在先更早的優(yōu)先權(quán)，都是能夠更有利于專(zhuān)利授權(quán)的。
專(zhuān)利族2
該專(zhuān)利族的最早優(yōu)先權(quán)日為2020年01月22日，包括兩件已授權(quán)專(zhuān)利US11463082B2
和TWI754522B，一件審查中的專(zhuān)利CN113162591A，三件專(zhuān)利目前同樣已被臺(tái)達(dá)電子轉(zhuǎn)移給了其子公司碇基半導(dǎo)體股份有限公司。
技術(shù)背景及問(wèn)題：
該技術(shù)應(yīng)用于采用負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷的常閉型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng)電路中，主要解決的問(wèn)題在于如何防止柵極驅(qū)動(dòng)電路在啟動(dòng)過(guò)程中耦合來(lái)自其周?chē)娐返脑肼暩蓴_，使得開(kāi)關(guān)元件得以正確的被驅(qū)動(dòng)。
解決技術(shù)手段：
如下圖所示，該專(zhuān)利在臺(tái)達(dá)電子原有的基礎(chǔ)電路架構(gòu)上增加了一個(gè)連接到晶體管柵極端的開(kāi)關(guān)S3。在其給出的第一個(gè)方案中，開(kāi)關(guān)S3僅于電路啟動(dòng)時(shí)導(dǎo)通一次，隨后第三開(kāi)關(guān)S3維持關(guān)斷狀態(tài)，工作過(guò)程如圖6所示
圖6
由于常閉型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值較低的緣故，在圖7中沒(méi)有開(kāi)關(guān)S3時(shí)，在柵極驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)時(shí)，晶體管的柵源極電壓VGS直接變?yōu)檎妷海菀讓?dǎo)致噪聲耦合至柵極驅(qū)動(dòng)電路，造成晶體管誤導(dǎo)通。而具有開(kāi)關(guān)S3時(shí)，其在第一個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通，將柵極接地，此后使得用于導(dǎo)通晶體管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)直接從負(fù)電壓VGS開(kāi)始啟動(dòng)，避免了噪聲耦合帶來(lái)的誤導(dǎo)通問(wèn)題。
圖7
另外，專(zhuān)利中還給出如下圖所示的另一種控制開(kāi)關(guān)S3的方案，除了在驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)的時(shí)間之外，開(kāi)關(guān)S3在每次S2導(dǎo)通之后且S1導(dǎo)通之前的階段會(huì)被導(dǎo)通，使得晶體管的VGS電壓從負(fù)電壓恢復(fù)到低電平VL的狀態(tài)，且S3的導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)可以被設(shè)計(jì)得比下圖中的更長(zhǎng)（專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)中附圖5的補(bǔ)充方案）。雖然專(zhuān)利中未明確該方案的作用，但從其波形圖中可知，這樣控制一方面能降低晶體管導(dǎo)通瞬間的電壓變化率dv/dt，另一方面如果開(kāi)關(guān)S3每次導(dǎo)通周期更長(zhǎng)，則能降低驅(qū)動(dòng)電路的功率損耗。
圖8
看到這，一些讀者可能就會(huì)發(fā)現(xiàn)這種構(gòu)思與英飛凌在GaN EiceDRIVER? IC中所采用的方法是相似的（關(guān)于英飛凌相關(guān)專(zhuān)利的介紹可參考文章末尾處的前期公眾號(hào)文章鏈接）。當(dāng)然，臺(tái)達(dá)電子的專(zhuān)利中電路實(shí)現(xiàn)方式不同，且主要功能仍然在于避免驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)時(shí)的噪聲干擾。另外，該專(zhuān)利中還有更多的變形實(shí)例，考慮篇幅原因，在此就不再一一列舉了。
總結(jié)
從臺(tái)達(dá)電子的上述專(zhuān)利來(lái)看，其采用的專(zhuān)利布局策略是基于一個(gè)大的電路結(jié)構(gòu)框架，在各個(gè)具體的擴(kuò)展電路上去改進(jìn)，以專(zhuān)利族1為代表，這種方式可以使得這些專(zhuān)利作為同族專(zhuān)利共同享有同一個(gè)最早優(yōu)先權(quán)，另外也能彌補(bǔ)單個(gè)專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不夠豐富的缺陷，便于專(zhuān)利在審查中的修改。這種專(zhuān)利布局方式在很多公司研發(fā)出了核心產(chǎn)品技術(shù)時(shí)通常會(huì)采用到的，比如之前所介紹的納微半導(dǎo)體的專(zhuān)利布局策略也是如此。
另外，臺(tái)達(dá)電子在這種電路專(zhuān)利改進(jìn)上還給出了一個(gè)很好示例，尤其以專(zhuān)利族2為代表。從專(zhuān)利族2的電路結(jié)構(gòu)上來(lái)看，其改進(jìn)點(diǎn)僅僅是在原有方案上加入了一個(gè)開(kāi)關(guān)S3，看似十分簡(jiǎn)單，但專(zhuān)利重點(diǎn)在于開(kāi)關(guān)S3的具體控制策略，在實(shí)施例中給出了多種控制策略，最后還展示了開(kāi)關(guān)S3與RC電路位置的不同配合從而帶來(lái)不同的技術(shù)效果。由此可見(jiàn)，在電路相關(guān)的專(zhuān)利創(chuàng)新中，電路本身的改進(jìn)并非一定相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)有多復(fù)雜，通過(guò)結(jié)合控制策略能夠使得方案更加完善，技術(shù)效果也更加明確。
作者簡(jiǎn)介：
龐濱洋，超凡知識(shí)產(chǎn)權(quán)檢索分析師，具有7年知識(shí)產(chǎn)權(quán)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擅長(zhǎng)集成電路領(lǐng)域的專(zhuān)利檢索與分析。
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