免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
IQ調(diào)制器的特性解析
發(fā)布時(shí)間:2020-06-22 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】在前面關(guān)于數(shù)字調(diào)制的文章中分別介紹了 IQ 調(diào)制的基本理論及調(diào)制解調(diào)的數(shù)學(xué)解析及圖解過(guò)程(數(shù)字調(diào)制系列:如何理解 IQ ?、數(shù)字調(diào)制系列:IQ 基本理論、數(shù)字調(diào)制系列:IQ 調(diào)制及解調(diào)簡(jiǎn)述),闡述了常見的數(shù)字調(diào)制方式,并解釋了為什么經(jīng)過(guò) IQ 調(diào)制器之后帶寬會(huì)翻倍的原因。
在前面關(guān)于數(shù)字調(diào)制的文章中分別介紹了 IQ 調(diào)制的基本理論及調(diào)制解調(diào)的數(shù)學(xué)解析及圖解過(guò)程(數(shù)字調(diào)制系列:如何理解 IQ ?、數(shù)字調(diào)制系列:IQ 基本理論、數(shù)字調(diào)制系列:IQ 調(diào)制及解調(diào)簡(jiǎn)述),闡述了常見的數(shù)字調(diào)制方式,并解釋了為什么經(jīng)過(guò) IQ 調(diào)制器之后帶寬會(huì)翻倍的原因。本文將著重介紹模擬 IQ 調(diào)制器的特性,為后面的 IQ 調(diào)制性能驗(yàn)證測(cè)試作準(zhǔn)備。
模擬 IQ 調(diào)制器包含 Mixer,在上變頻的過(guò)程中,勢(shì)必會(huì)產(chǎn)生鏡頻產(chǎn)物。當(dāng)輸出無(wú)頻偏信號(hào)時(shí),即信號(hào)中心頻率與調(diào)制器的 LO 信號(hào)頻率相同時(shí),相當(dāng)于采用的是 Zero-IF 機(jī)制,鏡頻產(chǎn)物與信號(hào)本身不可分割,即使通過(guò)濾波器也無(wú)法濾除鏡頻。慶幸的是,采用 IQ 調(diào)制及解調(diào)器,即使存在鏡頻產(chǎn)物,依然可以恢復(fù)出原始的 IQ 信號(hào)。這也是為什么模擬 IQ 調(diào)制器之后不需要鏡頻抑制濾波器的原因。
由于這種正交架構(gòu),IQ 調(diào)制器本身是具有一定鏡頻抑制能力的,但是只有在輸出具有一定頻偏的信號(hào)時(shí),即信號(hào)中心頻率與 LO 信號(hào)頻率不同時(shí),才能體現(xiàn)出鏡頻抑制特性。下面將通過(guò)一些特殊的基帶 IQ 信號(hào)進(jìn)行解析分析,闡述影響鏡頻抑制特性的因素,及如何改善鏡頻抑制特性。
1. IQ 信號(hào)幅度平衡性對(duì)鏡頻抑制的影響
IQ 信號(hào)幅度不平衡(即幅度不同),要么是輸入至調(diào)制器的 I 和 Q 信號(hào)的幅度不平衡,要么是調(diào)制器具有一定的增益不平衡(即 I 和 Q 兩路的增益不同),這些都會(huì)影響對(duì)鏡頻的抑制能力。
令 i(t)=Acoswbt,q(t)=sinwbt,則經(jīng)過(guò) IQ 調(diào)制輸出的射頻信號(hào) s(t)為
s(t)=Acoswbt· coswct - sinwbt · sinwct
積化和差得
s(t)=0.5(A+1)cos(wc+wb)t + 0.5(A-1)cos(wc-wb)t
當(dāng) A=1 時(shí),射頻信號(hào)中只有上邊帶(wc+wb)分量;
當(dāng) A=-1 時(shí),射頻信號(hào)中只有下邊帶(wc-wb)分量;
當(dāng) A≠±1 時(shí),射頻信號(hào)中同時(shí)包含上邊帶(wc+wb)和下邊帶(wc-wb)兩個(gè)分量。
以上通過(guò)解析方式介紹了 IQ 調(diào)制器的鏡頻抑制特性,其實(shí)通過(guò)圖解方法也可以清晰簡(jiǎn)便地進(jìn)行說(shuō)明。下面考慮 A=1 的情況,圖 1 給出了載波信號(hào)的傅里葉變換,這是雙邊帶頻譜,基帶信號(hào)經(jīng)過(guò) IQ 調(diào)制器實(shí)現(xiàn)了頻譜的搬移,圖 2 分別給出了調(diào)制器兩個(gè)支路上的頻譜變換情況,最終經(jīng)過(guò)合路器合路后,下邊帶分量相互抵消,只剩下上邊帶分量。
圖 1. 載波信號(hào)的傅里葉變換(雙邊帶頻譜)
圖 2. IQ 調(diào)制過(guò)程頻譜變換示意圖
當(dāng) A≠±1 時(shí),射頻信號(hào)中同時(shí)包含上下邊帶,定義邊帶抑制比為:20lg│A+1│/│A-1│ (dB).
如何改善鏡頻抑制能力呢?
IQ 調(diào)制器兩個(gè)支路的增益不平衡特性已經(jīng)無(wú)法調(diào)整,但是可以在基帶側(cè)通過(guò)調(diào)整 I 和 Q 兩路波形的幅度大小改善鏡頻抑制。矢量信號(hào)發(fā)生器 VSG 及任意波信號(hào)發(fā)生器 AWG 均提供了 IQ Gain Imbalance 調(diào)整參數(shù),對(duì)其進(jìn)行微調(diào)即可改善鏡頻抑制。
2. IQ 正交性對(duì)鏡頻抑制的影響
正交性包括兩個(gè)方面:(1) 基帶信號(hào) I 和 Q 之間的正交性;(2) IQ 調(diào)制器兩個(gè) Mixer 的 LO 信號(hào)之間的正交性。如果正交性不好,當(dāng)產(chǎn)生無(wú)頻偏的數(shù)字調(diào)制信號(hào)時(shí)會(huì)帶來(lái)調(diào)制和解調(diào)的誤差(EVM、BER 惡化),另一方面在產(chǎn)生單邊帶信號(hào)時(shí),會(huì)惡化鏡頻抑制特性。
令 i(t)=cos(wbt+?),q(t)=sinwbt,則 IQ 調(diào)制器輸出的射頻信號(hào)為
s(t)=cos(wbt+?)· coswct - sinwbt · sinwct
積化和差得
s(t)=0.5(1+cos?)·cos(wc+wb)t-0.5sin?·sin(wc+wb)t-0.5(1-cos?)·cos(wc-wb)t+0.5sin?·sin(wc-wb)t
對(duì)于(wc+wb)分量,令 a=0.5(1+cos?),b=0.5sin?,則取θ滿足如下關(guān)系:
cosθ=a/√( a2+b2),sinθ=b/√( a2+b2)
類似地,對(duì)于(wc-wb)分量,令 c=0.5(1-cos?),b=0.5sin?,則取θ1 滿足如下關(guān)系:
cosθ1=c/√(c2+b2),sinθ1=b/√(c2+b2)
以上公式代入 s(t),最終可得
s(t)=0.707√(1+cos?)·cos[(wc+wb)t+θ]+0.707√(1-cos?)·cos[(wc-wb)t-θ1]
由正交誤差?造成的鏡頻抑制度為:10lg(1+cos?)/(1-cos?) (dB).
以上是從基帶 I 和 Q 信號(hào)的正交性著手分析對(duì)鏡頻抑制特性的影響,如果基帶信號(hào)理想正交,而 IQ 調(diào)制器兩個(gè) Mixer 的 LO 正交性不好,整個(gè)推導(dǎo)過(guò)程是類似的,此處不再贅述。當(dāng)然,IQ 調(diào)制器的特性已經(jīng)固定,只能通過(guò)調(diào)整基帶信號(hào)的正交性改善鏡頻抑制能力。
3. IQ 調(diào)制器的載波抑制特性
IQ 調(diào)制器除了可以抑制鏡頻外,在數(shù)字調(diào)制過(guò)程中還可以抑制載波。理論上,只要模擬 I 和 Q 信號(hào)中沒(méi)有 DC 分量,而且 IQ 調(diào)制器是理想的,那么輸出的射頻寬帶信號(hào)中將沒(méi)有載波。但是實(shí)際產(chǎn)生的寬帶信號(hào)總是具有一定的載波泄露,來(lái)源于兩部分:(1) IQ 信號(hào)中包含一定的 DC 分量;(2) IQ 調(diào)制器中 Mixer 的 LO 泄露。
對(duì)于數(shù)字調(diào)制信號(hào)而言,載波泄露是一種帶內(nèi)干擾,如果載波分量較強(qiáng),將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的通信質(zhì)量。因此,要盡量降低載波泄露。通常在基帶側(cè)微調(diào) I Offset 或者 Q Offset 來(lái)改善載波抑制特性,這相當(dāng)于引入 DC 分量,如果設(shè)置的 DC 的量和極性合適,I 和 Q 兩路引起的載波泄露將相互抵消,甚至可以抵消 Mixer 的 LO 泄露帶來(lái)的影響。
以上介紹了 IQ 調(diào)制器的鏡頻抑制及載波抑制特性,這些都是 IQ 調(diào)制器固有的特性,也是性能驗(yàn)證測(cè)試中必測(cè)的項(xiàng)目。此外,IQ 調(diào)制器還有幅頻響應(yīng)、三階交調(diào)等參數(shù),這些也都是需要測(cè)試的。不同的測(cè)試項(xiàng)目需要不同的測(cè)試設(shè)備和測(cè)試方法,這將是后面要介紹的內(nèi)容……
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
特別推薦
- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開啟——體驗(yàn)科技驅(qū)動(dòng)的未來(lái)汽車世界,共迎AMTS 20周年!
- 貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽(yáng)能和儲(chǔ)能解決方案
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
- 貿(mào)澤開售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開發(fā)套件
- TDK推出用于可穿戴設(shè)備的薄膜功率電感器
- 日清紡微電子GNSS兩款新的射頻低噪聲放大器 (LNA) 進(jìn)入量產(chǎn)
- 中微半導(dǎo)推出高性價(jià)比觸控 MCU-CMS79FT72xB系列
技術(shù)文章更多>>
- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則?
- 智能電池傳感器的兩大關(guān)鍵部件: 車規(guī)級(jí)分流器以及匹配的評(píng)估板
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
- AHTE 2025展位預(yù)訂正式開啟——促進(jìn)新技術(shù)新理念應(yīng)用,共探多行業(yè)柔性解決方案
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索