【導(dǎo)讀】在以往的電路理論學(xué)習(xí)中,您可能了解了許多分析電路的技術(shù)。節(jié)點(diǎn)電壓分析和網(wǎng)孔分析就是其中兩種著名的類似技術(shù)。在節(jié)點(diǎn)電壓分析法中,首先需要選擇一個(gè)節(jié)點(diǎn),把它作為參考節(jié)點(diǎn)。這個(gè)節(jié)點(diǎn)通常被假設(shè)具有絕對零電位,我們通常稱其為“接地”節(jié)點(diǎn)。
在以往的電路理論學(xué)習(xí)中,您可能了解了許多分析電路的技術(shù)。節(jié)點(diǎn)電壓分析和網(wǎng)孔分析就是其中兩種著名的類似技術(shù)。在節(jié)點(diǎn)電壓分析法中,首先需要選擇一個(gè)節(jié)點(diǎn),把它作為參考節(jié)點(diǎn)。這個(gè)節(jié)點(diǎn)通常被假設(shè)具有絕對零電位,我們通常稱其為“接地”節(jié)點(diǎn)。
只要不關(guān)心電路與其它對象之間的電壓關(guān)系,一般不會(huì)發(fā)現(xiàn)這種假設(shè)的害處。將多個(gè)子電路共用的節(jié)點(diǎn)作為接地節(jié)點(diǎn),通常是從數(shù)學(xué)上簡化電路分析的極佳選擇。
當(dāng)我們學(xué)習(xí)電子電路專業(yè)課程時(shí),通常會(huì)忘記許多電路分析技術(shù),例如疊加、戴維南等效、諾頓等效和網(wǎng)孔分析等,而主要關(guān)注一種技術(shù),即節(jié)點(diǎn)電壓分析(圖1)。
圖1:節(jié)點(diǎn)電壓分析通常簡化了電子電路的分析。上圖左側(cè)是節(jié)點(diǎn)電壓分析示例,右側(cè)是同一電路的網(wǎng)孔分析示例。
作為一名學(xué)生和工程師,經(jīng)過多年的深入研究,您可能會(huì)忘記電子電路理論中的一些基本概念,此時(shí)正是致命的錯(cuò)誤觀念滲入我們思想的時(shí)候。
常見誤解
接地節(jié)點(diǎn)經(jīng)常被誤以為是所有電荷的物理入地點(diǎn)。這當(dāng)然不對。接地節(jié)點(diǎn)只是我們個(gè)人選擇的節(jié)點(diǎn)。除了通常是許多子電路的公共節(jié)點(diǎn)以外,它沒什么特殊之處。而作為一個(gè)公共節(jié)點(diǎn)不會(huì)增加任何特殊的物理屬性。接地節(jié)點(diǎn)上唯一存儲(chǔ)的電荷是一端接地的電容器的負(fù)極板電荷。所有其它電荷都在電路中循環(huán),并且永不停歇(圖2)。請記住,所有電流都在一個(gè)回路中流動(dòng),電荷會(huì)返回其源極。
圖2:電流電荷在回路中循環(huán),接地節(jié)點(diǎn)上唯一存儲(chǔ)的電荷(–Q)是接地電容器上的電荷。
接地節(jié)點(diǎn)是避免噪聲的安全港。這也不對,大多數(shù)不同的噪聲電流都會(huì)通過接地節(jié)點(diǎn)(圖3)。但是,僅對設(shè)計(jì)良好的接地軌而言,導(dǎo)電軌的阻抗可忽略不計(jì),此時(shí)跨軌的噪聲電位差幾乎為零。
圖3:不同的信號電流和不同的噪聲電流通過接地節(jié)點(diǎn)。接地軌的低阻抗是確保導(dǎo)電軌中任何兩個(gè)物理點(diǎn)之間的電位差可以忽略的唯一保證,至少在直流電路分析中如此。
人們普遍認(rèn)為,將兩個(gè)相互影響的域的接地墊隔離,可以保護(hù)安靜域免受噪聲域的影響。這可能是RF工程師在不知情的情況下所犯的最嚴(yán)重錯(cuò)誤之一。在多種情況下,接地墊的分離可能會(huì)導(dǎo)致從噪聲域輸出到安靜域輸入的嚴(yán)重噪聲耦合。您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)這有悖常理,但是當(dāng)你使用綁定線繪制完整的電路直至PCB層時(shí),這一點(diǎn)會(huì)變得清晰,如圖4所示。當(dāng)所有MOS體連接到專用接地墊時(shí),也會(huì)產(chǎn)生類似的影響。
圖4:當(dāng)上圖左側(cè)接地墊分離時(shí),從一個(gè)域到另一個(gè)域的傳輸信號會(huì)變得噪聲很大。其分析步驟以紫色圓圈標(biāo)記。另一方面,如右側(cè)圖所示,合并域后,信號得以安全地傳輸。但是,如果PSRR較差,安靜域可能會(huì)受影響。
在考慮功耗的數(shù)字電路設(shè)計(jì)中,浮動(dòng)輸出不僅與斷開接地路徑有關(guān),而且還與斷開電源路徑有關(guān)(圖5)。物理設(shè)計(jì)偏好通常傾向于切換接地路徑。這是因?yàn)樵谙嗤膶?dǎo)通電阻下,將使用面積比PMOS器件小的NMOS器件。
圖5:當(dāng)電源或地線關(guān)閉時(shí),不可避免地可能導(dǎo)致輸出電壓不確定。而此不確定的輸出電壓取決于存儲(chǔ)在負(fù)載電容器上的最后一個(gè)工作輸出狀態(tài)、電源與地之間的OFF電阻比,以及不同連接點(diǎn)的漏電流。
接地軌和電源軌似乎與時(shí)序收斂無關(guān)。時(shí)序收斂與不同的信元延遲和不同的信號邊沿有關(guān)。 當(dāng)接地軌具有相對較高的阻抗時(shí),在電源軌和接地軌之間會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的IR壓降,這會(huì)降低有效電源電壓,從而增加CMOS單元的延遲。而且,即使電源軌上的平均IR壓降微不足道,開關(guān)噪聲電流也會(huì)在接地軌上產(chǎn)生明顯的瞬態(tài)噪聲電壓。因此,如圖6所示,到達(dá)距信號源較遠(yuǎn)的門的信號沿可以及時(shí)有效地“移動(dòng)”[1]。時(shí)移取決于瞬態(tài)噪聲的大小和極性。對于高上升/下降時(shí)間信號,這種影響變得更加明顯。
圖6:根據(jù)紫色圓圈所示的分析步驟,瞬態(tài)電源/接地電流曲線在接地端會(huì)產(chǎn)生相似的電壓曲線,這會(huì)影響信號沿的有效到達(dá)時(shí)間。大幅增加本地去耦電容器以吸收交流電流曲線,并降低電源/接地軌的阻抗,可以緩解該問題。
接地墊是否需要分離?
這是一個(gè)棘手的問題,需要詳細(xì)說明。前述內(nèi)容可能會(huì)給人一種印象,即接地墊分離是一種不良的設(shè)計(jì)實(shí)踐,盡管在許多芯片中這可能是一種常見的做法。通常,設(shè)計(jì)具有低電阻和低電感的單個(gè)統(tǒng)一接地,要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于設(shè)計(jì)多個(gè)接地軌。多個(gè)接地軌會(huì)造成一些麻煩,比如多個(gè)作用域之間復(fù)雜的回流電流路徑,以及載有高頻電流的大面積環(huán)路造成的磁耦合。
但是,在某些情況下,接地墊的分離不可避免。例如,假設(shè)有一個(gè)晶體振蕩器和一個(gè)帶噪聲的數(shù)字模塊,它們共享一個(gè)接地墊,如圖7所示。數(shù)字模塊從電源汲取噪聲電流,并通過接地軌和綁定線返回。因此,接地線上會(huì)出現(xiàn)明顯的電壓故障。由于該綁定線與晶體振蕩器的地線共用,噪聲電壓故障會(huì)加載到晶振內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的晶體純正弦電壓上。
圖7:根據(jù)紫色圓圈中所示的分析步驟,噪聲塊會(huì)間接在接地線兩端產(chǎn)生噪聲電壓。由于晶體實(shí)際上是具有很好截止特性的帶通濾波器,因此在振蕩過程中,其每個(gè)端子上都存在純正弦電壓。但是,晶體振蕩器的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)會(huì)感測到接地線兩端的純電壓和噪聲電壓的疊加。
在需要分離接地墊的情況下,請執(zhí)行以下操作:
盡可能在噪聲模塊周圍放置多個(gè)去耦電容器(圖8)。這會(huì)減少噪聲供電電流在芯片外部的傳輸,從而將模塊導(dǎo)電軌及其輸出上產(chǎn)生的噪聲電壓最小化。
最小化噪聲模塊與其它模塊塊之間的電氣交互作用,或僅減小傳遞的電流。為此,在噪聲域中使用具有相對較高輸出阻抗的驅(qū)動(dòng)器,在安靜域中使用具有高輸入阻抗緩沖器的驅(qū)動(dòng)器。
圖8:噪聲模塊端的去耦電容會(huì)吸收流經(jīng)電源和地的大部分AC電流成分。最小化從噪聲域到敏感域的傳輸電流,可確保最小化噪聲的傳輸。
接地節(jié)點(diǎn)只是一個(gè)為電路分析而定義的節(jié)點(diǎn)。所有電流仍在回路中傳輸,并不會(huì)在接地節(jié)點(diǎn)處截止。
要預(yù)測和解決接地相關(guān)的問題,只需繪出帶所有物理連接的完整電路,而無需定義接地節(jié)點(diǎn),并將不同的電流回路和公共路徑可視化。
在決定統(tǒng)一或分離不同域的接地墊之前,仔細(xì)了解預(yù)期的增益和潛在影響。
圖9所示是一個(gè)習(xí)題。其左側(cè)顯示了一個(gè)具有有限漏極阻抗的簡單NMOS電流源。那么,看到的電源電壓源低頻交流阻抗是多少?
圖9:接地節(jié)點(diǎn)定義是否會(huì)影響輸入阻抗值?
答案非常簡單。物理上保持電路不變,但選擇NMOS漏極作為接地節(jié)點(diǎn),而不是NMOS源極,如圖9右側(cè)所示,那么阻抗會(huì)保持不變嗎?千萬不要讓接地迷惑了您。
(來源:快資訊)