【導讀】今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點，也將用于Intel 18A。
在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩(wěn)步推進其“四年五個制程節(jié)點”計劃，加速實現(xiàn)在2025年推出尖端的制程節(jié)點Intel 18A。
今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點，也將用于Intel 18A。
RibbonFET：柵極“環(huán)抱”晶體管
通過RibbonFET晶體管，英特爾實現(xiàn)了全環(huán)繞柵極（GAA）架構。在晶體管中，柵極扮演著關鍵的開關角色，控制著電流的流動。RibbonFET使得柵極能夠全面環(huán)繞帶狀的晶體管溝道，這一創(chuàng)新帶來了三大優(yōu)勢：
節(jié)約空間
晶體管溝道的垂直堆疊，相較于傳統(tǒng)的水平堆疊，大幅減少了空間占用，有助于晶體管的進一步微縮；
RibbonFET晶體管與FinFET晶體管（鰭式場效應晶體管）的對比示意圖
RibbonFET晶體管與FinFET晶體管（鰭式場效應晶體管）的對比示意圖
性能提升
柵極的全面環(huán)繞增強了對電流的控制，無論在何種電壓下，都能提供更強的驅動電流，讓晶體管開關的速度更快，從而提升晶體管性能；
靈活設計
晶體管溝道可以根據(jù)不同的應用需求進行寬度調整，為芯片設計帶來了更高的靈活性。
PowerVia：從“披薩”到“三明治”的轉變
PowerVia背面供電技術改變了芯片布線的邏輯。
傳統(tǒng)上，計算機芯片的制造過程類似于制作“披薩”，自下而上，先制造晶體管，再構建線路層，同時用于互連和供電。然而，隨著晶體管尺寸的不斷縮小，線路層變得越來越“擁擠”，復雜的布線成為了性能提升的瓶頸。
英特爾通過PowerVia實現(xiàn)了電源線與互連線的分離。首先制造晶體管，然后添加互連層，最后將晶圓翻轉并打磨，以便在晶體管的底層接上電源線。形象地說，這一過程讓芯片制造更像是制作“三明治”。
背面供電技術讓晶體管的供電路徑變得更加直接，有效改善了供電，減少了信號串擾，降低了功耗。測試顯示，PowerVia能夠將平臺電壓降低優(yōu)化30%。
同時，這種新的供電方式還讓芯片內(nèi)部的空間得到了更高效的利用，使得芯片設計公司能夠在不犧牲資源的前提下提高晶體管密度，顯著提升性能。測試結果表明，采用PowerVia技術可以實現(xiàn)6%的頻率增益和超過90%的標準單元利用率。
Intel 20A和Intel 18A的技術演進
半導體技術的創(chuàng)新是一個不斷迭代的過程。在Intel 20A制程節(jié)點上，英特爾首次成功集成了RibbonFET和PowerVia這兩項突破性技術。基于Intel 20A的技術實踐，這兩項技術將被應用于采用Intel 18A制程節(jié)點的首批產(chǎn)品：AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務器處理器Clearwater Forest。目前，新產(chǎn)品的樣片已經(jīng)出廠、上電并成功啟動操作系統(tǒng)，預計將在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
Intel 18A晶圓
此外，這兩項技術也將通過Intel 18A向英特爾代工（Intel Foundry）的客戶提供。Intel 18A的缺陷密度已達到D0級別，小于0.40，顯示出其在晶圓廠中的生產(chǎn)狀況良好，良率表現(xiàn)優(yōu)秀。今年7月，英特爾還發(fā)布了Intel 18A制程設計套件（PDK）的1.0版本，得到了生態(tài)系統(tǒng)的積極響應。
本文轉載自：英特爾資訊
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