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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。
2022-06-17
功率半導體 IGBT 損耗
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有源前端整流器
介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓撲和調制決策的設計技巧，利用指導拓撲和調制決策，有助于消除不可行選項，轉而關注那些可能表現(xiàn)良好的選項。
2022-06-17
電動汽車 整流器
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集成智能第1部分：EMI管理
智能的集成電機驅動器和無刷直流 (BLDC) 電機都有助于使電動汽車和下一代汽車更具吸引力、更安全和更可靠。集成電機驅動器組合了驅動電機所需的一切，例如場效應晶體管 (FET)、柵極驅動器和狀態(tài)機（如圖1所示）。集成可消除從電子控制單元 (ECU) 到電機的長布線，并具有印刷電路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
電機驅動器BLDC EMI
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅動電壓
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅動
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預計2021至2027年間，全球xEV市場的復合年增長率將達到21%，所有細分市場的復合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術也將大幅增長。事實上，不同技術的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應鏈
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