MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng);其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因?yàn)闆](méi)有電 荷存儲(chǔ)效應(yīng);另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理,它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng),而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。
電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇
發(fā)布時(shí)間:2019-08-05 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。
MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng);其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因?yàn)闆](méi)有電 荷存儲(chǔ)效應(yīng);另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理,它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng),而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。
近年來(lái),隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來(lái)得到了快速的發(fā)展,功率MOSFET更是備受關(guān)注。據(jù)預(yù)測(cè),2010-2015年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的總體復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)到13.7%。雖然市場(chǎng)研究公司 iSuppli 表示由于宏觀的投資和經(jīng)濟(jì)政策和日本地震帶來(lái)的晶圓與原材料供應(yīng)問(wèn)題,今年的功率MOSFET市場(chǎng)會(huì)放緩,但消費(fèi)電子和數(shù)據(jù)處理的需求依然旺盛,因此長(zhǎng)期來(lái)看,功率MOSFET的增長(zhǎng)還是會(huì)持續(xù)一段相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。
技術(shù)一直在進(jìn)步,功率MOSFET市場(chǎng)逐漸受到了新技術(shù)的挑戰(zhàn)。例如,業(yè)內(nèi)有不少公司已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)GaN功率器件,并且斷言硅功率MOSFET的性能可提 升的空間已經(jīng)非常有限。不過(guò),GaN 對(duì)功率MOSFET市場(chǎng)的挑戰(zhàn)還處于非常初期的階段,MOSFET在技術(shù)成熟度、供應(yīng)量等方面仍然占據(jù)明顯的優(yōu)勢(shì),經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展,MOSFET市場(chǎng) 也不會(huì)輕易被新技術(shù)迅速替代。
五年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi),MOSFET仍會(huì)占據(jù)主導(dǎo)的位置。MOSFET也仍將是眾多剛?cè)胄械墓こ處煻紩?huì)接觸到的器件,本期半月談將會(huì)從基礎(chǔ)開(kāi)始,探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識(shí),包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等;最后還會(huì)就一些最常見(jiàn)的熱門(mén)應(yīng)用為大家做一些介紹。
MOSFET 的選型基礎(chǔ)
MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開(kāi)關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,因此,總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),開(kāi)關(guān)關(guān)閉,而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢?本文將討論如何通過(guò)四步來(lái)選擇正確的MOSFET。
1)溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET.在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí),該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。
2)電壓和電流的選擇。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS.設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。
在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOSFET處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。
3)計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。
4)計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結(jié)溫。
開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到,導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開(kāi)關(guān)性能。不過(guò),如果系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能要求比較高,可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。
MOSFET應(yīng)用案例解析
1. 開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用
從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí),有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源,這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖),這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,然后把能量開(kāi)釋給負(fù)載。目前,設(shè)計(jì)職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,由于頻率越高,磁性元件可以更小更輕。開(kāi)關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。
2.馬達(dá)控制應(yīng)用
馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè)),但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類應(yīng)用,反向恢復(fù)時(shí)間(trr)非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí),控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是,電流重新循環(huán),繼續(xù)為馬達(dá)供電。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí),另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除,通過(guò)第一個(gè)MOSFET放電,而這是一種能量的損耗,故trr 越短,這種損耗越小。
3.汽車應(yīng)用
過(guò)去的近20年里,汽車用功率MOSFET已經(jīng)得到了長(zhǎng)足發(fā)展。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的 瞬態(tài)高壓現(xiàn)象,且其封裝簡(jiǎn)單,主要采用TO220 和 TO247封裝。同時(shí),電動(dòng)車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標(biāo)配,在設(shè)計(jì)中需要類似的功率器件。在這期間,隨著電機(jī)、 螺線管和燃油噴射器日益普及,車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。
汽車設(shè)備中所用的MOSFET器件涉及廣泛的電壓、電流和導(dǎo)通電阻范圍。電機(jī)控制設(shè)備橋接配置會(huì)使用30V和40V擊穿電壓型號(hào);而在必須控制負(fù)載突卸和 突升啟動(dòng)情況的場(chǎng)合,會(huì)使用60V裝置驅(qū)動(dòng)負(fù)載;當(dāng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)移至42V電池系統(tǒng)時(shí),則需采用75V技術(shù)。高輔助電壓的設(shè)備需要使用100V至150V型款;至于400V以上的MOSFET器件則應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器機(jī)組和高亮度放電(HID)前燈的控制電路。
汽車MOSFET驅(qū)動(dòng)電流的范圍由2A至100A以上,導(dǎo)通電阻的范圍為2mΩ至100mΩ。MOSFET的負(fù)載包括電機(jī)、閥門(mén)、燈、加熱部件、電容性壓電組件和DC/DC電源。開(kāi)關(guān)頻率的范圍通常為10kHz 至100kHz,必須注意的是,電機(jī)控制不適用開(kāi)關(guān)頻率在20kHz以上。其它的主要需求是UIS性能,結(jié)點(diǎn)溫度極限下(-40度至175度,有時(shí)高達(dá)200度)的工作狀況,以及超越汽車使用壽命的高可靠性。
4. LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。
設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管,對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言,一般使用NMOS.功率MOSFET和雙極型晶體管不同,它的柵極電容比較大,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通。因此,設(shè)計(jì)時(shí)必須注意柵極驅(qū)動(dòng)器負(fù)載能力必須足夠大,以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容(CEI)的充電。
而MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無(wú)法降低Cin的值,但可以降低柵極驅(qū)動(dòng)回路信號(hào)源內(nèi)阻Rs的值,從而減小柵極回路 的充放電時(shí)間常數(shù),加快開(kāi)關(guān)速度一般IC驅(qū)動(dòng)能力主要體現(xiàn)在這里,我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動(dòng)恒流IC。內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了,一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET。為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,外置MOSFET是唯一的選擇方式,IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。
一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右。
一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線,感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾,還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制。考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。
以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,此時(shí)阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放,在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過(guò)小,由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。
估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,就可以參考前文所指出的方法。
MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。歡迎大家閱讀網(wǎng)站更多相關(guān)的內(nèi)容和鏈接,了解MOSFET在當(dāng)今發(fā)揮的日益重要的作用。
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