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意法半導(dǎo)體發(fā)布封裝尺寸僅2mm×2mm的3軸加速度傳感器
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了實(shí)現(xiàn)小型化及低耗電的3軸MEMS加速度傳感器。封裝尺寸為2mm×2mm,達(dá)到了業(yè)界最高水平。耗電量最小可減至數(shù)μA以下。主要用于手機(jī)等要求小尺寸、低耗電的消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備。
2010-01-29
意法半導(dǎo)體 封裝尺寸 3軸加速度 傳感器
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第十一講 示波器基礎(chǔ)之RIS模式和Roll模式
本文主要講RIS模式和Roll模式的采樣原理
2010-01-29
示波器 RIS Roll
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兩岸平板顯示業(yè)攜手打造完整產(chǎn)業(yè)鏈
長(zhǎng)期以來(lái),大陸平板顯示業(yè)雖然涌現(xiàn)出TCL、海信、長(zhǎng)虹、康佳、海爾等知名平板電視企業(yè),但卻缺乏上游核心技術(shù),面板和模組等主要零部件受制于日韓等國(guó)大廠(chǎng),深受“有下游沒(méi)上游”之困。臺(tái)灣面板業(yè)雖為島內(nèi)龍頭產(chǎn)業(yè),但主要依靠出口,“有上游無(wú)下游”困境明顯。
2010-01-28
兩岸 平板顯示 攜手 完整 產(chǎn)業(yè)鏈
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2010年美國(guó)小型半導(dǎo)體公司恐掀被并潮
據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo),由于整體經(jīng)濟(jì)疲弱,半導(dǎo)體廠(chǎng)商要靠自家的力量達(dá)到營(yíng)收成長(zhǎng),相對(duì)難度較高,因此購(gòu)并在利基型市場(chǎng)上有獨(dú)到技術(shù)的小型廠(chǎng)商,將是2010年的趨勢(shì),而這些小型的半導(dǎo)體廠(chǎng)商恐怕也會(huì)掀起被購(gòu)并潮。
2010-01-28
美國(guó) 小型半導(dǎo)體 被并潮
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變頻器未來(lái)發(fā)展凸現(xiàn)六種特性
變頻器是運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中的功率變換器。當(dāng)今的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)是包含多種學(xué)科的技術(shù)領(lǐng)域,總的發(fā)展趨勢(shì)是:驅(qū)動(dòng)的交流化,功率變換器的高頻化,控制的數(shù)字化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化。因此,變頻器作為系統(tǒng)的重要功率變換部件,提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發(fā)展。
2010-01-28
變頻器 未來(lái)發(fā)展 凸現(xiàn) 特性
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山西首批大型并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目開(kāi)工
山西首批大型并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目——山西國(guó)際電力集團(tuán)右玉小五臺(tái)一期10MW、平魯阻虎一期5MW太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目正式開(kāi)工。
2010-01-28
山西 大型并網(wǎng) 太陽(yáng)能 發(fā)電項(xiàng)目
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LED死燈原因分析探討
我們經(jīng)常會(huì)碰到LED不亮的情況,封裝企業(yè)、應(yīng)用企業(yè)以及使用的單位和個(gè)人,都有可能碰到,這就是行業(yè)內(nèi)的人說(shuō)的死燈現(xiàn)象。本文重點(diǎn)分析LED死燈原因和防護(hù)。
2010-01-28
LED 死燈原因 靜電
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其101/102 PHR-ST螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸,接線(xiàn)柱的長(zhǎng)度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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- 工程師親述:國(guó)產(chǎn)BLDC驅(qū)動(dòng)器替代的“踩坑”實(shí)錄與破局指南
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