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有效測(cè)量碳化硅信號(hào)
碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應(yīng)用，因?yàn)樗哂写蠊β氏到y(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統(tǒng)升級(jí)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的...
2023-08-22
碳化硅 有效測(cè)量 信號(hào)
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使用新一代高度可調(diào)的低介電薄膜來解決串?dāng)_、隔離等制造挑戰(zhàn)
想象一下，在一個(gè)擠滿人的大房間里，每個(gè)人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂意告訴您他們的信息，但問題是，他們都在同一時(shí)間說話。房間里的人越密集，就越難將想要關(guān)注的信息與周圍的雜音區(qū)分開。
2023-08-22
低介電薄膜 串?dāng)_ 隔離
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中國(guó)工程院院士：已經(jīng)明朗，MEMS技術(shù)是傳感器重要的發(fā)展方向和趨勢(shì)！
進(jìn)入2023年，傳感器企業(yè)密集上市迎來了爆發(fā)，僅上半年就已有9家傳感器企業(yè)上市。在近期這些上市或準(zhǔn)備上市的傳感器企業(yè)中，大部分來自MEMS傳感器領(lǐng)域，譬如中芯集成、芯動(dòng)聯(lián)科、高華科技、明皜傳感、歌爾微電子、矽?？萍肌⑻旒龖T性……MEMS傳感器企業(yè)幾乎占據(jù)半壁江山。
2023-08-22
MEMS 傳感器 趨勢(shì)
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工業(yè)4.0時(shí)代，單對(duì)以太網(wǎng)如何顛覆傳統(tǒng)工廠車間？
在開發(fā)全新數(shù)據(jù)通信協(xié)議時(shí)，通常關(guān)注的重點(diǎn)是進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)速率。然而，要確保工業(yè)和樓宇自動(dòng)化應(yīng)用中的許多傳感器和執(zhí)行器正常運(yùn)行，我們需要的不僅僅是更快的數(shù)據(jù)速率。目前，這些“邊緣”設(shè)備使用大量的傳統(tǒng)多點(diǎn)通信協(xié)議進(jìn)行互聯(lián)，使得原始設(shè)備制造商 (OEM) 支持這些設(shè)備將面臨更復(fù)雜的境況，并且...
2023-08-22
工業(yè)4.0 單對(duì)以太網(wǎng) 收發(fā)器
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普...
2023-08-22
IGBT Nexperia
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如何消除步進(jìn)電機(jī)的噪音和振動(dòng)?
由于步進(jìn)電機(jī)由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便、安全性高、成本低、停止時(shí)候力矩大、在低速情況下不需 要減速機(jī)就可以輸出很大的力矩、相比直流無刷和伺服電機(jī)，步進(jìn)電機(jī)不需要復(fù)雜的控制算法也不需要編碼器反饋情況下可以實(shí)現(xiàn)位置控制。
2023-08-21
步進(jìn)電機(jī) 噪音 振動(dòng)
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN)...
2023-08-21
功率器件 SiC 隔離
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