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如何測量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢，而開始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測量。下一代隔離調(diào)制器大大提高了CMTI能力，并改善了其本身的精度。
2024-03-11
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時間是2us。
2024-02-01
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門極驅(qū)動正壓對功率半導(dǎo)體性能的影響
無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng)，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導(dǎo)通損耗除了受這個門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越薄的導(dǎo)通損耗越小，所以同等芯片面積下寬禁帶的器件導(dǎo)通損耗要小得多。而相同材料下耐壓越高的器件就會越厚，導(dǎo)通損耗就會變大。這種由芯片厚度引起的導(dǎo)通損耗不受門極電壓影響，所以器件耐壓越高，門極電壓即使進(jìn)一步增大對導(dǎo)通損耗貢獻(xiàn)是有限的。
2024-01-29
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IGBT如何進(jìn)行可靠性測試？
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場，公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。
2024-01-24
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計（如開關(guān)頻率和死區(qū)時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據(jù)，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
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高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器提升電機(jī)運作的穩(wěn)定性與安全性
在電機(jī)應(yīng)用中，必須采用逆變器或轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換，采用高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器，將有助于提升電機(jī)運作的穩(wěn)定性與安全性，這對高功率、高速電機(jī)系統(tǒng)尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅(qū)動DC-DC轉(zhuǎn)換器的相關(guān)技術(shù)，以及由Murata（村田制作所）所推出的一系列高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能特性。
2024-01-19
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超結(jié)MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用
儲能變流器，又稱雙向儲能逆變器，英文名PCS(Power Conversion System)，是儲能系統(tǒng)與電網(wǎng)中間實現(xiàn)電能雙向流動的核心部件，用作控制電池的充電和放電過程，進(jìn)行交直流的變換。
2024-01-09
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動的優(yōu)勢
低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機(jī)會。
2023-12-20
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泰克助力汽車測試及質(zhì)量監(jiān)控實現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關(guān)損耗是一項嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進(jìn)材料有望提高效率，但也有其自身的復(fù)雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關(guān)參數(shù)，并評估其動態(tài)行為的標(biāo)準(zhǔn)方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
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如何優(yōu)化SiC柵級驅(qū)動電路？
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能。
2023-11-29
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