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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-17
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
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魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現象解讀
IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續(xù)流二極管FWD在硬開關續(xù)流時反向恢復特性也會變快。
2022-06-03
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如何計算驅動芯片的desat保護時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
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汽車級IGBT/SiC模塊驅動器應該怎么用？首款唯一車硅認證柵極驅動板簡化設計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術培訓經理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅動器系列產品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅動板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的結溫
在IGBT應用中，結溫是經常使用的一個參數，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關系呢？
2022-05-25
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IGBT門極驅動到底要不要負壓
先說結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。
2022-05-23
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挑選一款合適的汽車級IGBT模塊： 解讀國內首部車用IGBT標準
隨著新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，越來越多的IGBT產品應運而生。汽車零部件時常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車級產品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運行。如何選擇合適的汽車級半導體器件，對于Tier1和OEM的產品可靠性及其成本至關重要。本文將從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗的要求出發(fā)，介紹汽車級功率半導體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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東芝低功耗IGBT持續(xù)助力家電市場
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價比在業(yè)界被廣泛應用，特別是在工業(yè)控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優(yōu)點，還進一步提升了控制速度和精度，同時具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產品能耗進一步降低。
2022-04-30
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IGBT驅動電流行為綜述
】IGBT是一種電壓驅動的電子開關，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。
2022-04-30
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