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助推智能創(chuàng)新融合，貿(mào)澤將亮相2021 ELEXCON深圳國際電子展
2021年9月17日－專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將亮相9月27-29日舉辦的2021 ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展（展位號：5號館 5J24）。屆時，貿(mào)澤電子將攜國際知名廠商Analog Devices, DFRobot, Espressif, Infineon, Intel, Microchip, Molex, onsemi, Silicon Labs, VICOR等帶來全球熱門開發(fā)板產(chǎn)品，覆蓋5G、物聯(lián)網(wǎng)、無線通信、藍牙、邊緣計算等熱門技術(shù)領(lǐng)域，帶觀眾領(lǐng)略前沿技術(shù)與創(chuàng)新應(yīng)用，見證諸多優(yōu)質(zhì)的技術(shù)解決方案，讓廣大工程師能夠在交流中激發(fā)設(shè)計思路，開拓專業(yè)知識視野。
2021-10-10
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零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器的分析
德州儀器（TI）推出了新的零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器系列。TMCS1100和TMCS1101傳感器可在一段時間內(nèi)以及在工作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)最小漂移和最大精度，同時通過8引腳SOIC封裝提供可靠的3 kVrms隔離，這對于工業(yè)電機驅(qū)動器，太陽能逆變器等高壓AC或DC系統(tǒng)尤其重要。這些新設(shè)備的準確性消除了對設(shè)備進行校準的需要，從而隨著時間的流逝減少了設(shè)備維護。
2021-10-09
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貿(mào)澤電子聯(lián)手STMicroelectronics推出全新內(nèi)容網(wǎng)站聚焦無線解決方案
貿(mào)澤電子與全球知名半導體解決方案制造商STMicroelectronics (ST) 聯(lián)手推出全新內(nèi)容網(wǎng)站，致力于為無線領(lǐng)域的工程師提供來自ST的新資源、新產(chǎn)品和技術(shù)新知。
2021-09-15
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安森美電機開發(fā)套件獲中國2021年Top 10電源產(chǎn)品獎
2021年9月15日 —安森美(onsemi，納斯達克股票代號：ON)宣布其電機開發(fā)套件(MDK)獲《21IC中國電子網(wǎng)》選為2021年Top 10電源產(chǎn)品獎。這一年度獎項計劃是備受行業(yè)認同的確定中國10個最具技術(shù)進步的創(chuàng)新電源產(chǎn)品的一個基準。
2021-09-15
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雙向功率轉(zhuǎn)換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
雙向功率轉(zhuǎn)換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關(guān)鍵部件。碳化硅開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)先前技術(shù)無法達到的效率水平。
2021-09-15
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MHL接口的靜電保護方案
Mobile High-Definition Link (MHL) 移動終端高清影音標準接口，是一種連接便攜式消費電子裝置的影音標準接口，MHL 僅使用一條信號電纜，通過標準 HDMI 輸入接口即可呈現(xiàn)于高清電視上。它運用了現(xiàn)有的 Micro USB接口，不論是手機、數(shù)碼相機、數(shù)字攝影機和便攜式多媒體播放器， 皆可將完整的媒體內(nèi)容直接傳輸?shù)诫娨暽锨也粨p傷影片高分辨率的效果。
2021-09-13
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通過AC整流橋上的有源開關(guān)提高效率
提高電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度一直是電源行業(yè)的首要目標，在過去十年中，更因功率器件、拓撲結(jié)構(gòu)和控制方案的發(fā)展而取得長足的進步。超結(jié)MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發(fā)展，確保了更高頻率下的更高開關(guān)效率；同時，高級拓撲及其相應(yīng)控制方案的實現(xiàn)也在高速發(fā)展。因此，平衡導通損耗與開關(guān)損耗以實現(xiàn)最佳工作點，現(xiàn)在已完全可以實現(xiàn)。
2021-09-10
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第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設(shè)備需求，供應(yīng)鏈與服務(wù)本地化成關(guān)鍵考量
隨著中國“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對于“碳達峰、碳中和”的目標達成共識，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體新材料憑借高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等優(yōu)異特性，成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明，2020年中國“第三代半導體”產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值超過100億元，同比增長69.5%。其中，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達44.7億元， 同比增長54%；GaN微波射頻產(chǎn)值達到60.8億元，同比增長80.3%。
2021-09-09
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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TM1810-3， TM1810-2 LED恒流驅(qū)動IC
在 使用BH1750測量激光發(fā)射器的強度[1] 文章后面的留言中，aytc100給出了內(nèi)部限流保護芯片可能是TM1810之類的。并給出了相應(yīng)的 TM1810資料鏈接 ?？紤]到后面可能需要進行相應(yīng)的激光管的實驗，所以從 TMALL購買TM1810-2,TM1810-3 以備后面進行測試使用。
2021-09-08
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺，分享BLDC電機控制新品與技術(shù)見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個全新內(nèi)容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護設(shè)備領(lǐng)域處于主導地位，并深耕工業(yè)無刷直流電機市場數(shù)十年。您可以通過https://manufacturers.mouser.com/on-semiconductor-brushless-dc-motor-control-solutions訪問此平臺。
2021-09-07
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在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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