EMI 是指電器產(chǎn)品向外發(fā)出干擾。EMS 是指電器產(chǎn)品抵抗電磁干擾的能力。一臺(tái)具備良好電磁兼容性的設(shè)備應(yīng)既不受周圍電磁噪聲的影響， 也不對(duì)周圍環(huán)境造成電磁干擾。電磁干擾的三個(gè)要素是干擾源、耦合通道和敏感體。抑制開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾對(duì)保證電子系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行具有十分重要的意義， 電磁干擾的抑制技術(shù)主要包括削弱干擾的能量， 隔離和減弱噪聲耦合途徑及提高設(shè)備對(duì)電磁騷擾的抵抗能力等。本文分析了開(kāi)關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生原因， 介紹了開(kāi)關(guān)電源電磁干擾抑制技術(shù)及設(shè)計(jì)方法。

 

 

開(kāi)關(guān)電源通常是將工頻交流電整流為直流電， 然后經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)管的控制使其變?yōu)楦哳l， 再經(jīng)過(guò)整流濾波電路輸出， 得到穩(wěn)定的直流電壓。工頻整流濾波使用大容量電容充、放電， 開(kāi)關(guān)管高頻通斷， 輸出整流二極管的反向恢復(fù)等工作過(guò)程中產(chǎn)生了極高的di/ dt和du/dt ， 形成了強(qiáng)烈的浪涌電流和尖峰電壓， 它是開(kāi)關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生的最基本原因。另外， 開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)波形， MOSFET漏源波形等都是接近矩形波形狀的周期波。因此， 其頻率是MHz 級(jí)別的， 這些高頻信號(hào)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的基本信號(hào)， 特別是控制電路的信號(hào)造成干擾。

 

 

開(kāi)關(guān)電源輸入端通常采用橋式整流、電容濾波電路。整流橋只有在脈動(dòng)電壓超過(guò)輸入濾波電容上的電壓時(shí)才能導(dǎo)通， 電流才從市電電源輸入， 并對(duì)濾波電容充電。一旦濾波電容上的電壓高于市電電源的瞬時(shí)電壓， 整流管便截止。所以， 輸入電路的電流是脈沖性質(zhì)的， 并且有著豐富的高效諧波電流。這是因?yàn)檎麟娐返姆蔷€性特性， 整流橋交流側(cè)的電流嚴(yán)重失真。

 

 

而直流側(cè)的諧波次數(shù)是n 倍。所以， 整流電路直流側(cè)高頻諧波電流不僅使電路產(chǎn)生功率， 增加電路的無(wú)功功率， 而且高頻諧波會(huì)沿著傳輸線路產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。

 

 

開(kāi)關(guān)電路在開(kāi)關(guān)電源中起著關(guān)鍵的作用， 同時(shí)也是主要的干擾源之一。開(kāi)關(guān)管負(fù)載為高頻變壓器初級(jí)線圈， 是感性負(fù)載。其在導(dǎo)通瞬間， 初級(jí)線圈產(chǎn)生很大的涌流， 并在初級(jí)線圈的兩端出現(xiàn)較高的浪涌尖峰電壓; 在斷開(kāi)瞬間， 由于初級(jí)線圈的漏磁通， 致使一部分能量沒(méi)有從一次線圈傳輸?shù)蕉尉€圈， 儲(chǔ)藏在電感中的這部分能量將和集電極電路中的電容、電阻形成帶有尖峰的衰減震蕩， 疊加在關(guān)斷電壓上， 形成關(guān)斷電壓尖峰。如果尖峰有足夠高的幅度， 那么很有可能把開(kāi)關(guān)管擊穿。

 

 

高頻變壓器是開(kāi)關(guān)電源中實(shí)現(xiàn)能量?jī)?chǔ)存、隔離、輸出、電壓變換的重要部件， 它的漏感和分布電容對(duì)電路的電磁兼容性能產(chǎn)生較大的影響。由于初級(jí)線圈有漏磁通， 致使一部分能量沒(méi)有傳輸?shù)酱渭?jí)線圈， 而是通過(guò)集電極電路中的電容、電阻形成帶有尖峰的衰減振蕩，疊加在關(guān)斷電壓上， 形成關(guān)斷電壓尖峰， 產(chǎn)生與初級(jí)線圈接通時(shí)一樣的磁化沖擊電流瞬變， 這個(gè)噪聲會(huì)傳導(dǎo)到輸入、輸出端， 形成傳導(dǎo)騷擾， 重者有可能擊穿開(kāi)關(guān)管。另外， 高頻變壓器初級(jí)線圈、開(kāi)關(guān)管和濾波電容構(gòu)成的高頻開(kāi)關(guān)電流環(huán)路可能會(huì)產(chǎn)生較大的空間輻射，形成輻射騷擾。

 

在開(kāi)關(guān)電源的調(diào)頻變壓器初次級(jí)之間存在著分布電容。用一個(gè)裝置電容（ 裝置對(duì)地的分布電容） 來(lái)與整個(gè)開(kāi)關(guān)電源等效， 就形成了干擾通道。共模干擾通過(guò)變壓器的耦合電容， 經(jīng)過(guò)裝置電容再返回大地， 就得到一個(gè)由變壓器耦合電容與裝置電容構(gòu)成的分壓器。脈沖變壓器初級(jí)線圈、開(kāi)關(guān)管和濾波電容構(gòu)成的高頻開(kāi)關(guān)電流環(huán)路可能會(huì)產(chǎn)生較大的空間輻射， 形成輻射騷擾。

 

 

開(kāi)關(guān)電源的分布參數(shù)是多數(shù)干擾的內(nèi)在因素， 開(kāi)關(guān)電源和散熱器之間的分布電容、變壓器初次級(jí)之間的分布電容、原副邊的漏感都是噪聲源。共模干擾就是通過(guò)變壓器初、次級(jí)之間的分布電容以及開(kāi)關(guān)電源與散熱器之間的分布電容傳輸?shù)摹Ｆ渲凶儔浩骼@組的分布電容與高頻變壓器繞組結(jié)構(gòu)、制造工藝有關(guān)。開(kāi)關(guān)電源與散熱器之間的分布電容與開(kāi)關(guān)管的結(jié)構(gòu)以及開(kāi)關(guān)管的安裝方式有關(guān)。采用帶有屏蔽的絕緣襯墊可以減小開(kāi)關(guān)管與散熱器之間的分布電容。

 

在高頻工作下的元件都有高頻寄生特性， 對(duì)其工作狀態(tài)產(chǎn)生影響。高頻工作時(shí)導(dǎo)線變成了發(fā)射線、電容變成了電感、電感變成了電容、電阻變成了共振電路， 當(dāng)頻率過(guò)高時(shí)各元件的頻率特性產(chǎn)生了相當(dāng)大的變化。為了保證開(kāi)關(guān)電源在高頻工作時(shí)的穩(wěn)定性， 設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)要充分考慮元件在高頻工作時(shí)的特性，選擇使用高頻特性比較好的元件。另外， 在高頻時(shí)， 導(dǎo)線寄生電感的感抗顯著增加， 由于電感的不可控性， 最終使其變成一根發(fā)射線， 也就成為了開(kāi)關(guān)電源中的輻射干擾源。

 

 

開(kāi)關(guān)電源存在著共模干擾和差模干擾兩種電磁干擾形式。根據(jù)前面分析的電磁干擾源， 結(jié)合它們的耦合途徑， 可以從EMI 濾波器、吸收電路、接地和屏蔽等幾個(gè)方面來(lái)抑制干擾， 把電磁干擾衰減到允許限度之內(nèi)。

 

 

濾波是一種抑制傳導(dǎo)干擾的方法， 在電源輸入端接上濾波器可以抑制來(lái)自電網(wǎng)的噪聲對(duì)電源本身的侵害， 也可以抑制由開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生并向電網(wǎng)反饋的干擾。電源濾波器作為抑制電源線傳導(dǎo)干擾的重要單元， 在設(shè)備或系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計(jì)中具有極其重要的作用。電源進(jìn)線端通常采用如圖1 所示的EMI 濾波器電路。該電路可以有效地抑制交流電源輸入端的低頻差模騷擾和高頻段共模騷擾。在電路中， 跨接在電源兩端的差模電容Cx1、Cx2 （ 亦稱X 電容） 用于濾除差模干擾信號(hào)， 一般采用陶瓷電容器或聚脂薄膜電容器， 電容值通常取0.1~ 0. 47F。而中間連線接地的共模電容Cy1和Cy2 （ 亦稱Y 電容） 則用來(lái)短路共模噪聲電流， 取值范圍通常為C1=C2 # 2 200 pF。抑制電感L1、L2 通常取100~ 130H， 共模扼流圈L 是由兩股等同并且按同方向繞制在一個(gè)磁芯上的線圈組成， 通常要求其電感量L#15~ 25 mH。當(dāng)負(fù)載電流渡過(guò)共模扼流圈時(shí)， 串聯(lián)在火線上的線圈所產(chǎn)生的磁力線和串聯(lián)在零線上線圈所產(chǎn)生的磁力線方向相反， 它們?cè)诖判局邢嗷サ窒?。因此?即使在大負(fù)載電流的情況下， 磁芯也不會(huì)飽和。而對(duì)于共模干擾電流， 兩個(gè)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)是同方向的， 會(huì)呈現(xiàn)較大電感， 從而起到衰減共模干擾信號(hào)的作用。

 

 

 

開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生EMI 的主要原因是電壓和電流的急劇變化， 因而需要盡可能地降低電路中電壓和電流的變化率（ du/ dt 和di/ dt ） 。采取吸收電路能夠抑制EMI， 其基本原理就是在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)為其提供旁路， 吸收積蓄在寄生分布參數(shù)中的能量， 從而抑制干擾的發(fā)生?？梢栽陂_(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)如圖2（ a） 所示的RC 吸收電路， 開(kāi)關(guān)管或二極管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中， 管中產(chǎn)生的反向尖峰電流和尖峰電壓， 可以通過(guò)緩沖的方法予以克服。緩沖吸收電路可以減少尖峰電壓的幅度和減少電壓波形的變化率， 這對(duì)于半導(dǎo)體器件使用的安全性非常有好處。與此同時(shí)， 緩沖吸收電路還降低了射頻輻射的頻譜成份， 有益于降低射頻輻射的能量。箝位電路主要用來(lái)防止半導(dǎo)體器件和電容器被擊穿的危險(xiǎn)。

兼顧箝位電路保護(hù)作用和開(kāi)關(guān)電源的效率要求，TVS 管的擊穿電壓選擇為初級(jí)繞組感應(yīng)電壓的1. 5倍。當(dāng)TVS 上的電壓超過(guò)一定幅度時(shí)， 器件迅速導(dǎo)通， 從而將浪涌能量泄放掉， 并將浪涌電壓的幅值限制在一定的幅度。在開(kāi)關(guān)管漏極和輸出二極管的正極引線上可串聯(lián)帶可飽和磁芯線圈或微晶磁珠， 材質(zhì)一般為鈷， 當(dāng)通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和， 電感量非常小。一旦電流要反向流過(guò)時(shí)， 它將產(chǎn)生非常大的反電勢(shì)， 這樣就能有效地抑制二極管的反向浪涌電流。

 

 

 

抑制輻射噪聲的有效方法就是屏蔽?？梢杂脤?dǎo)電性能良好的材料對(duì)電場(chǎng)進(jìn)行屏蔽， 用磁導(dǎo)率高的材料對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行屏蔽。為了防止變壓器的磁場(chǎng)泄漏， 使變壓器初次級(jí)耦合良好， 可以利用閉合磁環(huán)形成磁屏蔽，如罐型磁芯的漏磁通就明顯比E 型的小很多。開(kāi)關(guān)電源的連接線， 電源線都應(yīng)該使用具有屏蔽層的導(dǎo)線，盡量防止外部干擾耦合到電路中。或者使用磁珠、磁環(huán)等EMC 元件， 濾除電源及信號(hào)線的高頻干擾。但是， 要注意信號(hào)頻率不能受到EMC 元件的干擾， 也就是信號(hào)頻率要在濾波器的通帶之內(nèi)。整個(gè)開(kāi)關(guān)電源的外殼也需要有良好的屏蔽特性， 接縫處要符合EMC規(guī)定的屏蔽要求。通過(guò)上述措施保證開(kāi)關(guān)電源既不受外部電磁環(huán)境的干擾也不會(huì)對(duì)外部電子設(shè)備產(chǎn)生干擾。

 

 

在設(shè)計(jì)高頻變壓器時(shí)必須把漏感減到最小。因?yàn)槁└性酱螅?產(chǎn)生的尖峰電壓幅值越高， 漏極箝位電路的損耗就越大， 這必然導(dǎo)致電源效率降低。減小變壓器的漏感通常采用減少原邊繞組的匝數(shù)、增大繞組的寬度、減小各繞組之間的絕緣層等措施。

 

變壓器主要的寄生參數(shù)為漏感、繞組間電容、交叉耦合電容。變壓器繞組間的交叉耦合電容為共模噪聲流過(guò)整個(gè)系統(tǒng)提供了通路。

 

在變壓器的繞制過(guò)程中采用法拉第屏蔽來(lái)減小交叉耦合電容。法拉第屏蔽簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是用銅箔或鋁箔包繞在原邊繞組和副邊繞組之間， 形成一個(gè)表面屏蔽層隔離區(qū)， 并接地， 其中原邊繞組和副邊繞組交錯(cuò)繞制， 以減小交叉耦合電容。在安裝規(guī)程上一般要求散熱器接地， 那么開(kāi)關(guān)管漏極與散熱器之間的寄生電容就為共模噪聲提供了通路， 可以在漏極和散熱器之間加一銅箔或鋁箔并接地以減小此寄生電容。

 

 

開(kāi)關(guān)電源需要重視地線的連接， 地線承擔(dān)著參考電平的重任， 特別是控制電路的參考地， 如電流檢測(cè)電阻的地電平和無(wú)隔離輸出的分壓電阻的地電平。

 

（ 1） 設(shè)備的信號(hào)接地。設(shè)備的信號(hào)接地， 可能是以設(shè)備中的一點(diǎn)或一塊金屬來(lái)作為信號(hào)的接地參考點(diǎn)，它為設(shè)備中的所有信號(hào)提供了一個(gè)公共參考電位。如浮地和混合接地， 另外還有單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地。

 

（ 2） 設(shè)備接大地。在工程實(shí)踐中， 除認(rèn)真考慮設(shè)備內(nèi)部的信號(hào)接地外， 通常還將設(shè)備的信號(hào)地， 機(jī)殼與大地連在一起， 以大地作為設(shè)備的接地參考點(diǎn)。

 

控制信號(hào)的地電平衰減應(yīng)盡可能的小， 因此， 采用控制部分一點(diǎn)接地， 然后將公共連接點(diǎn)再單點(diǎn)接至功率地。這種接地方式可以使噪聲源和敏感電路分離。另外， 地線盡量鋪寬， 對(duì)空白區(qū)域可敷銅填滿， 力求降低地電平誤差和EMI。

 

在裝置中盡量采用表面貼裝元器件， 使組裝密度更高， 體積更小， 重量更輕， 可靠性更高， 高頻特性好，減小電磁和射頻干擾。

 

 

PCB 中帶狀線、電線、電纜間的串間是印刷電路板線路中存在最難克服的問(wèn)題之一［ 7］ 。開(kāi)關(guān)電源的輻射騷擾與電流通路中的電流大小、通路的環(huán)路面積、以及電流頻率的平方的乘積成正比， 因此PCB 的布局設(shè)計(jì)將直接關(guān)系到整機(jī)電磁兼容性能。在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源印制電路板時(shí)， 必須從布局及走線的優(yōu)化設(shè)計(jì)著手。

 

（ 1） 印制板布線地通常要符合以下原則

 

1、 輸入、輸出端用的導(dǎo)線應(yīng)盡量避免相鄰平等。最好加線間地線， 以免發(fā)生反饋耦合;

 

2、 印制板導(dǎo)線盡量采用寬線， 尤其是電源線和地線;

 

3、 印制導(dǎo)線拐彎處一般采取圓弧形;

 

4、專用零伏線、電源線的走線寬度（1 mm， 電源線和地線盡可能靠近等。

 

（ 2） 元器件布局時(shí)通常要符合以下原則

 

1、按照電路的流程安排各個(gè)功能電路單元的位置， 使布局便于信號(hào)流通， 并使信號(hào)盡可能保持一致的方向。

 

2、 以每個(gè)功能電路的核心元件為中心， 圍繞它來(lái)進(jìn)行布局。元器件應(yīng)均勻、整齊、緊湊地排列在PCB上， 盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接。

 

3、 在高頻下工作的電路， 要考慮元器件之間的分布參數(shù)。一般電路應(yīng)盡可能使元器件平等排列。

 

4、位于電路板邊緣的元器件， 離電路板邊緣的距離一般不小于2 mm。

 

開(kāi)關(guān)電源體積越來(lái)越小， 功率密度越來(lái)越大，EMI/ EMC 問(wèn)題成為了開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性的一個(gè)關(guān)鍵因素， 也越來(lái)越受到人們的重視。開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容控制策略與控制技術(shù)方案有很多， 如通過(guò)對(duì)干擾的傳輸通道進(jìn)行抑制、空間進(jìn)行分離、時(shí)間進(jìn)行分隔、頻率管理、電氣隔離等。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)只有綜合運(yùn)用各種電磁干擾抑制技術(shù)才能有效提高開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性， 真正滿足各種場(chǎng)合的需要。



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