機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• 受到下游整機(jī)產(chǎn)量以及庫(kù)存調(diào)整的影響，中國(guó)市場(chǎng)上對(duì)于電源管理IC的需求有所放緩
• MOSFET得到廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)增長(zhǎng)率較快，市場(chǎng)發(fā)展空間廣闊
• 中國(guó)大陸企業(yè)在中國(guó)功率器件市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力還很弱，企業(yè)實(shí)力有待提升
• 高可靠性、節(jié)能、高性能、小尺寸、符合RoHs指令成為功率器件未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

市場(chǎng)數(shù)據(jù)：

• 2007年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)14.8%
• 2007年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)需求量達(dá)到171.2億個(gè)，市場(chǎng)需求額為220.5億元
• 消費(fèi)電子、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額占功率器件整體市場(chǎng)的68.9%

在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。

從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦在2007年產(chǎn)量的快速增長(zhǎng)，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域?qū)τ诠β势骷男枨箢~增長(zhǎng)率位于各領(lǐng)域之首。

MOSFET成為市場(chǎng)發(fā)展亮點(diǎn)

2007年，中國(guó)市場(chǎng)上對(duì)于電源管理IC的需求有所放緩。這主要是受到下游整機(jī)產(chǎn)量以及庫(kù)存調(diào)整的影響。隨著中國(guó)廠商不斷進(jìn)入LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）、DC-DC（直流-直流）等產(chǎn)品市場(chǎng)，低端電源管理IC產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)一定程度的下滑。在市場(chǎng)需求量增速放緩以及產(chǎn)品價(jià)格下滑的雙重影響下，2007年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)14.8%，比2006年23.2%的增長(zhǎng)率有較大幅度的下滑。但即使2007年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)增長(zhǎng)有所放緩，中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)的增長(zhǎng)率依舊高于全球3.8%的水平。

在功率分立器件中，相較于大功率晶體管、達(dá)林頓管以及晶閘管的低增長(zhǎng)率，MOSFET和IGBT依舊保持了較快的發(fā)展。其中MOSFET已經(jīng)廣泛應(yīng)用在主板、鎮(zhèn)流器、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)類電源適配器、液晶電視等產(chǎn)品中，憑借著較快的市場(chǎng)增長(zhǎng)率以及廣闊的市場(chǎng)發(fā)展空間，MOSFET成為中國(guó)分立功率器件市場(chǎng)發(fā)展亮點(diǎn)。

2007年，中國(guó)筆記本電腦產(chǎn)量增長(zhǎng)率超過(guò)40%，液晶電視產(chǎn)量增長(zhǎng)率也超過(guò)了70%，快速增長(zhǎng)的整機(jī)產(chǎn)量帶動(dòng)了中國(guó)MOSFET的市場(chǎng)需求，但由于整體整機(jī)產(chǎn)量增長(zhǎng)趨于平穩(wěn)，MOSFET市場(chǎng)需求量增長(zhǎng)率較2006年有所下降。2007年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)需求量達(dá)到171.2億個(gè)，市場(chǎng)需求額為220.5億元。

憑借在消費(fèi)類電源適配器、鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品中的龐大用量，消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)τ贛OSFET產(chǎn)品的需求量位列各領(lǐng)域之首，而MOSFET在計(jì)算機(jī)主板、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)類適配器、液晶顯示器等產(chǎn)品中的廣泛使用，則使得計(jì)算機(jī)領(lǐng)域僅次于消費(fèi)電子位于市場(chǎng)需求量的第二位。網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域?qū)τ贛OSFET的需求量位于第三至六位。主板應(yīng)用中主要使用低壓大電流MOSFET產(chǎn)品，其產(chǎn)品單價(jià)比較高。相對(duì)于計(jì)算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用，消費(fèi)電子領(lǐng)域中低壓小電流產(chǎn)品所占比重比較大，其產(chǎn)品價(jià)格相對(duì)較低。受此影響，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域MOSFET需求額超過(guò)消費(fèi)電子領(lǐng)域位于第一位，消費(fèi)電子領(lǐng)域位于其后，而工業(yè)控制領(lǐng)域需求額則位于第三位。

本土企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力有待提升

在中國(guó)功率器件市場(chǎng)中，歐美廠商占有比較大的優(yōu)勢(shì)地位，2007年排名前10位的功率器件生產(chǎn)企業(yè)中，歐美廠商占據(jù)9席。在前10位的廠商中，德州儀器|儀表和美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體主要專注于電源管理IC產(chǎn)品的生產(chǎn)，而威旭則在MOSFET細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)中擁有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

飛兆、意法、安森美等企業(yè)產(chǎn)品線涵蓋廣泛，產(chǎn)品包括功率分立器件、電源管理IC。目前來(lái)看，這些企業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量好，技術(shù)實(shí)力強(qiáng)，在功率器件市場(chǎng)中處于領(lǐng)先地位。

近年來(lái)，中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)逐步導(dǎo)入電源管理IC和功率器件產(chǎn)品的生產(chǎn)，這些企業(yè)憑借著較低的產(chǎn)品價(jià)格在中低端市場(chǎng)得到了比較快速的發(fā)展。立钅奇、富鼎先進(jìn)、茂達(dá)、安茂、致新、沛亨、崇貿(mào)是中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)具有代表性的廠商。

在本土企業(yè)中，近年來(lái)出現(xiàn)了一批從事電源管理IC生產(chǎn)的企業(yè)，但這些企業(yè)多以設(shè)計(jì)企業(yè)為主，產(chǎn)品主要集中在LDO、DC-DC。對(duì)于MOSFET、IGBT等高端功率分立器件產(chǎn)品，現(xiàn)階段大陸地區(qū)還缺乏有實(shí)力的IDM（垂直集成型）企業(yè)。但隨著飛兆等功率器件生產(chǎn)企業(yè)把一部分MOSFET的代工生產(chǎn)放到大陸地區(qū)來(lái)做，大陸地區(qū)MOSFET代工服務(wù)取得了一定的發(fā)展。目前，無(wú)錫華潤(rùn)上華、吉林麥吉柯、上海先進(jìn)、華虹NEC都在進(jìn)行MOSFET產(chǎn)品的代工服務(wù)。在這些企業(yè)中華虹NEC和先進(jìn)半導(dǎo)體主要是用8英寸線進(jìn)行MOSFET產(chǎn)能代工服務(wù)，華潤(rùn)上華則采用6英寸線進(jìn)行MOSFET的代工服務(wù)，吉林麥吉柯則采用5英寸線進(jìn)行MOSFET產(chǎn)品代工服務(wù)。而未來(lái)幾年，吉林華微、天津中環(huán)也將進(jìn)入MOSFET市場(chǎng)。

綜上所述，歐美日企業(yè)在中國(guó)功率器件市場(chǎng)上憑借著出色的產(chǎn)品質(zhì)量處于領(lǐng)先地位，中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)則憑借著良好的產(chǎn)品性價(jià)比在市場(chǎng)中得到了較快的發(fā)展，而中國(guó)大陸企業(yè)在中國(guó)功率器件市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力還很弱，企業(yè)實(shí)力有待提升。

MOSFET產(chǎn)品邁向高端工藝

隨著消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)功率器件產(chǎn)品的需求也呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)，而產(chǎn)品的小型化也使得高可靠性、節(jié)能、高性能、小尺寸、符合RoHs指令成為功率器件未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。封裝工藝的提升則是提高M(jìn)OSFET性能以及穩(wěn)定性的有效途徑。隨著市場(chǎng)上對(duì)更小巧輕薄、更快速、散熱更好及性能更可靠的便攜式應(yīng)用MOSFET器件的需求的快速增加，全球主要MOSFET生產(chǎn)企業(yè)IR、安森美、英飛凌等都在不斷通過(guò)提升封裝工藝來(lái)改善器件散熱水平。

MOSFET技術(shù)可大致分成平面型和溝槽型兩大類。對(duì)于低壓MOSFET產(chǎn)品，溝槽MOSFET技術(shù)已被市場(chǎng)所接受，并成為市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)。在高壓MOSFET市場(chǎng)上，平面技術(shù)仍具有一定的發(fā)展?jié)摿?。未?lái)，含有高端工藝的平面技術(shù)將是高壓MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)之一。