產(chǎn)品特性：

• 最大結(jié)溫為 +175°C
• 采用符合 RoHS 的小型封裝
• 提供反向偏置安全運(yùn)行區(qū)
• 擊穿電壓較高且穩(wěn)定
• 正向壓降極低
• 典型反向漏電流極小

應(yīng)用范圍：

• 高功率密度SMPS、臺(tái)式 PC 適配
• 服務(wù)器、汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器和控制裝置
• 電信網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)類電子
• 移動(dòng)電子設(shè)備

日前，Vishay宣布推出適用于高溫應(yīng)用的新型高性能 Schottky 二極管第 5 代硅平臺(tái)，以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結(jié)溫的8款新型器件。

Vishay 新型 Schottky二極管系列采用亞微米溝槽技術(shù)，最大結(jié)溫為 +175°C，適用于汽車(chē)及其它高溫應(yīng)用。器件采用符合 RoHS 的小型封裝，以改善成本能耗比，并提供反向偏置安全運(yùn)行區(qū) (RBSOA)，以滿足嚴(yán)格、極具成本效益的設(shè)計(jì)要求。擊穿電壓較高且穩(wěn)定 (>115 V)，以提供電壓抑制，優(yōu)化功率密度，與前幾代產(chǎn)品相比，該二極管系列的功率密度提升了 30%。即使如此，新型器件價(jià)格還最多可比 Vishay 3.1 代和 2.0 代平面型器件便宜 10%。

新型二極管適用于交流至直流、次級(jí)整流、反激式、降壓和升壓轉(zhuǎn)換器、半橋、反向電池保護(hù)、續(xù)流、D 型放大器和直流至直流模塊應(yīng)用。一般終端產(chǎn)品包括高功率密度 SMPS、臺(tái)式 PC 適配器、服務(wù)器、汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器和控制裝置、電信網(wǎng)絡(luò)、PDP、LCD 和高效音頻系統(tǒng)等消費(fèi)類電子，以及筆記本、移動(dòng)電話和便攜式媒體播放器等移動(dòng)電子設(shè)備。

新型器件典型正向壓降極低，范圍由 0.55 V（電流為 8 A）至 0.61 V（電流為 30 A），典型反向漏電流極小，溫度為 125°C 時(shí)，范圍由 1 mA 至 5.5 mA，且參數(shù)分布非常緊湊。上述器件堅(jiān)固耐用，具有抗反向雪崩能力，雪崩時(shí)部件可得到完全屏蔽，且開(kāi)關(guān)損耗極小。

目前，第 5 代新型 Schottky 二極管系列樣品和量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 至 10 周。