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論電光源頻閃效應(yīng)的危害性改進(jìn)對(duì)策
電光源頻閃效應(yīng)危害性極大，產(chǎn)生的技術(shù)機(jī)理比較復(fù)雜。本文僅從正確認(rèn)識(shí)頻閃效應(yīng)的危害牲和科學(xué)選用新型光源、構(gòu)建明亮舒適的綠色照明環(huán)境的角度，對(duì)頻閃、頻閃效應(yīng)產(chǎn)生的技術(shù)機(jī)理、危害性表現(xiàn)，進(jìn)行簡(jiǎn)要的分析，提出改進(jìn)技術(shù)對(duì)策 。
2008-10-31
頻閃 頻閃深度 頻閃效應(yīng) 高頻率節(jié)能燈
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LED產(chǎn)品質(zhì)量分析淺析
用于普通照明的LED，更注重光通量、光束的空間分布、顏色、顯色特性等參數(shù)，而生物應(yīng)用的LED，則更關(guān)心生物有效輻射功率、有效輻射照度等參數(shù)。此外，發(fā)光二極管既是一種光源，又是一種功率型的半導(dǎo)體器件，因此有關(guān)它的質(zhì)量必須從光學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)等諸多方面進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。本文描述從目前LED產(chǎn)品的...
2008-10-31
LED 性能 參數(shù)
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LED產(chǎn)品質(zhì)量分析淺析
用于普通照明的LED，更注重光通量、光束的空間分布、顏色、顯色特性等參數(shù)，而生物應(yīng)用的LED，則更關(guān)心生物有效輻射功率、有效輻射照度等參數(shù)。此外，發(fā)光二極管既是一種光源，又是一種功率型的半導(dǎo)體器件，因此有關(guān)它的質(zhì)量必須從光學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)等諸多方面進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。本文描述從目前LED產(chǎn)品的...
2008-10-31
LED 性能 參數(shù)
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VML0805：羅姆最新便攜應(yīng)用超小晶體管封裝
羅姆株式會(huì)社為適應(yīng)對(duì)小型化、薄型化要求高的便攜式機(jī)器市場(chǎng)的需要，開(kāi)發(fā)出業(yè)界超最小尺寸的晶體管封裝VML0805。這次，將從2008年11月開(kāi)始相繼向用戶(hù)提供應(yīng)用這種封裝的通用三極管和內(nèi)置有電阻的數(shù)字晶體管的樣品。
2008-10-30
晶體管封裝 VML0805
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VML0805：羅姆最新便攜應(yīng)用超小晶體管封裝
羅姆株式會(huì)社為適應(yīng)對(duì)小型化、薄型化要求高的便攜式機(jī)器市場(chǎng)的需要，開(kāi)發(fā)出業(yè)界超最小尺寸的晶體管封裝VML0805。這次，將從2008年11月開(kāi)始相繼向用戶(hù)提供應(yīng)用這種封裝的通用三極管和內(nèi)置有電阻的數(shù)字晶體管的樣品。
2008-10-30
晶體管封裝 VML0805
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VML0805：羅姆最新便攜應(yīng)用超小晶體管封裝
羅姆株式會(huì)社為適應(yīng)對(duì)小型化、薄型化要求高的便攜式機(jī)器市場(chǎng)的需要，開(kāi)發(fā)出業(yè)界超最小尺寸的晶體管封裝VML0805。這次，將從2008年11月開(kāi)始相繼向用戶(hù)提供應(yīng)用這種封裝的通用三極管和內(nèi)置有電阻的數(shù)字晶體管的樣品。
2008-10-30
晶體管封裝 VML0805
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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