大多數(shù)一般應用的溫度測量在相當有限的范圍內進行，介于水的冰點和沸點（0 °C 至 100 °C）之間，但還有許多情況超出了這兩個溫度水平。幸運的是，市面上提供有額定溫度范圍為 -50 °C 至 +125 °C 的低成本、易使用的固態(tài)傳感器，還有一些特殊傳感器支持更廣的溫度范圍。此外，熱電偶、電阻溫度檢測器 (RTD) 和熱敏電阻可以處理更寬的溫度范圍。

 

例如，Vishay Components 的PTCSL03T091DT1E 熱敏電阻的額定溫度范圍為-40 °C (277 K)至+165 °C (438 K)，而TE Connectivity Measurement Specialties 的R-10318-69 T 型熱電偶 支持-200 °C (73 K) 至+350 °C (623 K) 的更寬范圍。通常，針對這些測量的傳感器不難找到，挑戰(zhàn)在于傳感器的實際應用。

 

當溫度極高，甚至達到數(shù)千度時，傳感器的選擇較為有限，通常只能在不同類型的熱電偶或紅外傳感裝置之間進行選擇。由于被測源處于高溫，因此傳感器需要捕獲大量能量，同時對被測源的影響最小。

 

但是，如何測量那些相當?shù)偷臏囟?，例如低至兩位?shù)（幾十K）、個位數(shù)（1到9 K）、甚至個位數(shù)以下 (<1 K) 區(qū)間的溫度？有些研究甚至低至0.01 K，《IEEE綜覽》最近的一篇文章《量子計算：原子鐘產生更持久的量子位》(Quantum Computing: Atomic Clocks Makefor Longer-Lasting Qubits) 討論了100 nK以下的研究工作。（如何實現(xiàn)如此低的溫度是另一個引人入勝的故事！）

 

然而，如何確切知曉處于如此低的溫度？精確可靠的低溫測量是一個非常奇異的領域，原因如下：

 

首先，雖然物理定律仍然有效，但材料會發(fā)生重大轉變，其特征和行為也會發(fā)生根本變化。在低K區(qū)，傳感器性能、線性度和其他關鍵特性會有顯著變化。我們對水變成冰或蒸汽的原理了然于胸，但對低K區(qū)的變化卻難以掌握。

 

其次，測量方法通常與用于達到這些溫度的方法密切相關。例如，數(shù)T磁場（multi-Tesla magnetic fields）常常是過冷裝置的重要部分（相關方法和原因是另一個話題），而這些磁場會對傳感裝置及其元件產生重大影響。

 

第三，深冷項目常常涉及極少量的質量，某些情況下可能僅為幾個原子或分子。所以，我們面臨雙重難題：能量低且數(shù)量少的分子。顯然，無法連接傳感器，即使可以，傳感器也會嚴重影響被測物質。在很多方面，這是量子物理學的海森堡不確定性原理的必然結果，即測量操作會影響被測對象。

 

然而，科學家和研究人員仍然需要進行這種測量。他們有多種選擇，取決于溫度低到什么程度和測量對象是什么（固體、氣體狀團簇中的分子或個別分子），而且在0K附近有大量的研究和許多實際應用。相對而言，處理火箭燃料所用的液氧（90 K，-183 °C）和液氫（20 K，-253 °C）要容易一些，處理液氮（77 K，-196 °C）也是如此。相比之下，液氦溫度在4K (−269 °C) 左右——它用于將MRI機器的磁鐵冷卻到超導區(qū)間——評估難度要大得多。

 

溫度測量的關鍵是，務必牢記我們所謂的“溫度”實際上是衡量被測對象的能量。與幾乎所有溫度測量一樣，用戶必須首先考慮三個規(guī)格：所需的覆蓋范圍、絕對精準確度，以及精度（分辨率）。然后，用戶需要評估測量裝置在這些溫度下的影響。

 

有些令人驚訝的是，一些在“普通”溫度下的常用傳感器甚至可以在較寬的個位數(shù)區(qū)間內工作（圖1），其中包括RTD（使用鉑或銠鐵）、鍺，甚至經典的碳基電阻器。然而，這些裝置的強磁場會引起幾K的傳感器誤差。研究現(xiàn)狀是，對低K傳感的需求非常大，以至于這些傳感器是許多供應商提供的標準目錄產品（想一想，這是相當驚人的）。

 

圖1：多種材料可用于測量超低K值的溫度，注意垂直刻度不是線性的。CLTS是一種低溫線性溫度傳感器，即由錳銅和鎳箔傳感網格組成的扁平柔性傳感器；RuO2是氧化釕。（圖片來源：ICE Oxford Ltd.）

 

更復雜的選擇包括在光纖中使用布里淵散射和其他復雜的光學技術。甚至“不起眼”的電容器也可以用于橋式裝置中，其物理尺寸和形狀以及電容會按已知的關系（精確建模的函數(shù)）隨溫度變化。

 

但這些技術不適用于測量少量分子的溫度，此類情況需要一些非常深奧的方法。一種方案是采用具有精密梯度的強磁場掃描所捕獲的目標，然后觀察其分子沿該磁場的分布；這種分布會指示分子的能量，從而得出溫度。另一種方案是用激光推動分子，通過激光能量與所產生運動的關系得出目標能量。這些方法以及其他復雜方法不僅難以構建，而且需要對物理學的二階和三階微妙效應以及系統(tǒng)缺陷進行大量校正和補償。

 

因此，下次您想要抱怨溫度測量場景遇到的困難時，就想想那些需要在低K區(qū)間（甚至低至1 K）進行測量的人吧。那是一個詭異的世界，任何研究人員還必須詢問并回答永恒的儀器問題：“如何校準、確認并驗證讀數(shù)？”這幾乎是噩夢！

 

關于作者

 

 

Bill Schweber 是一名電子工程師，撰寫了三本關于電子通信系統(tǒng)的教科書，以及數(shù)百篇技術文章、意見專欄和產品特性說明。他擔任過EE Times的多個特定主題網站的技術管理員，以及EDN的執(zhí)行編輯和模擬技術編輯。

 

在Analog Devices, Inc.（模擬和混合信號 IC 的領先供應商）工作期間，Bill從事營銷傳播（公共關系），對技術公關職能的兩個方面均很熟悉，即向媒體展示公司產品、業(yè)務事例并發(fā)布消息，同時接收此類信息。

 

擔任Analog營銷傳播職位之前，Bill在該公司頗受推崇的技術期刊擔任副主編，并且還在公司的產品營銷和應用工程部門工作過。在此之前，Bill曾在Instron Corp.工作，從事材料測試機器控制的實際模擬和電源電路設計及系統(tǒng)集成。

 

他擁有電氣工程碩士學位（馬薩諸塞州立大學）和電氣工程學士學位（哥倫比亞大學），是注冊專業(yè)工程師，并持有高級業(yè)余無線電許可證。Bill還規(guī)劃、撰寫并講授了關于各種工程主題的在線課程，包括MOSFET基礎知識、ADC選擇和驅動LED。

 

來源：DigiKey  作者：Bill Schweber