【導讀】近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產品。WBG功率器件已經對從普通的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。
前言
近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產品。WBG功率器件已經對從普通的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。
電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調(HVAC)、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低成本的一個重要途徑。SiC在高功率工業(yè)驅動中的應用越來越多。SiC的獨特性能使其成為應對這些挑戰(zhàn)的首選電力電子材料。
SiC材料特性
SiC是一種半導體材料，它的帶隙(3.26 eV）比硅（1.12 eV）大，對電力電子器件來說有許多有利的特性。
SiC的介電擊穿強度比硅高10倍。功率電子開關最重要的功能之一是保持高電壓。由于介電強度高，SiC可支持高電壓在較短的距離內通過器件。這個距離也是垂直器件中溝道和漏極觸點之間的漂移區(qū)域。更短的漂移區(qū)域降低了器件的電阻，并直接使產生的功率損耗更低。
寬帶隙也減少了熱激發(fā)載流子的數(shù)量，導致自由電子減少，漏電流降低。此外，與傳統(tǒng)的Si器件相比，漏電流小，而且在更大的溫度范圍內穩(wěn)定。這使得SiC MOSFET和二極管成為高溫應用的更高效選擇。
SiC的熱導率比硅高三倍，可實現(xiàn)更好的散熱。功率電子器件的散熱是系統(tǒng)設計的重要一環(huán)。SiC的熱導率使開關的工作溫度和熱應力降低。
最后，SiC的電子飽和速度是硅的兩倍，這使得開關速度更快。更快的開關具有更低的開關損耗，可以在更高的脈寬調制(PWM)頻率下工作。在一些電源轉換拓撲結構中，更高的PWM頻率允許使用更小、更輕和更便宜的無源元件，這些元件往往是系統(tǒng)中最大和最昂貴的部分。
制造SiC晶圓（半導體器件的原材料）的過程比制造Si晶圓更具挑戰(zhàn)性。硅晶錠可以從熔體中拉出，而碳化硅晶錠必須通過化學氣相沉積法在真空室中生長。這是個緩慢的過程，而且要使生長缺陷數(shù)可接受是很難的。SiC是一種相對較硬、較脆的材料（通常用于工業(yè)切割），因此，需要特殊的工藝來從晶錠中切割晶圓。
安森美半導體有多個SiC基板的供應協(xié)議，可確保產能滿足SiC需求的增長。此外，我們正發(fā)展SiC基板的內部供應。
圖1：寬禁帶優(yōu)勢
改進三相逆變器
三相逆變器是可變速高壓電動機驅動的傳統(tǒng)方案，其硅IGBT與反并聯(lián)二極管共同封裝，用于支持電動機電流換向。三個半橋相位驅動逆變器的三相線圈，以提供正弦電流波形并驅動電動機。
有幾種方法可用SiC提高系統(tǒng)的性能。逆變器中浪費的能量由導通損耗和開關損耗組成。SiC器件會影響這兩種損耗機制。
用SiC肖特基勢壘二極管代替反并聯(lián)硅二極管變得越來越普遍。Si反向二極管有反向恢復電流，這會增加開關損耗并產生電磁干擾(EMI)。
SiC二極管的優(yōu)點是幾乎沒有反向恢復電流，可降低達30％的開關損耗，并可能減少對EMI濾波器的需求。同樣，反向恢復電流在導通時會增加集電極電流，因此SiC二極管會減小流過IGBT的峰值電流，從而提高系統(tǒng)的可靠性。
提高逆變器能效的下一步是用SiC MOSFET完全取代IGBT。SiC MOSFET可降低5倍開關損耗，從而進一步提高能效。SiC MOSFET的導通損耗可以是相同額定電流的Si IGBT的一半，具體取決于器件的選擇。
能效的提高導致更少的散熱。然后，設計人員可以通過縮小冷卻系統(tǒng)或完全消除主動冷卻來降低成本。然后，較小的電動機驅動器可直接安裝在電動機殼體上，從而減少電纜和電動機驅動器柜。
WBG器件開關速度很快，這減少了開關損耗，但帶來了其他挑戰(zhàn)。較高的dv/dt會產生噪聲，并可能導致對電動機繞組的絕緣產生應力。
一種解決方案是使用門極電阻來減慢開關速度，但隨后開關損耗會回升至IGBT的水平。
另一種解決方案是在電動機相位上放置一個濾波器。濾波器尺寸隨PWM頻率的增加而縮小，可在散熱性和濾波器成本之間進行權衡。
快速開關功率器件不能耐受逆變器電路中的雜散電感和電容。所謂的“寄生”電感會由于開關過程中產生的高瞬變而導致電壓尖峰。為消除寄生效應，請確保印刷電路板（PCB）的布局正確。所有電源回路和走線應短，器件排列緊密。即使是門極驅動回路也應謹慎地最小化，以減少由于噪聲而導致不想要的器件導通的可能。
功率模塊以正確的拓撲結構將多個器件集成在一起用于電機驅動（以及其他），從而提供了一種具有低寄生電感和優(yōu)化布局的更快解決方案。功率模塊減少需要連到散熱器上的器件數(shù)量，從而節(jié)省了PCB面積并簡化了熱管理。
安森美半導體的方案
安森美半導體提供不斷擴增的SiC器件陣容，適用于廣泛應用。
我們的SiC二極管有650 V、1200 V及1700 V版本，采用TO-220、TO-247、DPAK及D2PAK封裝。我們還將SiC二極管與IGBT共同封裝，以獲得平衡性能和成本的混合解決方案。
我們的SiC MOSFET，有650 V（新發(fā)布的?。?、900 V和1200 V版本，采用3引線和4引線封裝，我們正在開發(fā)一個基于SiC MOSFET的三相逆變器模塊。
最后，我們還提供專為SiC開關設計的非隔離型和電隔離型門極驅動器，以構成全面的解決方案。
圖2：安森美半導體的新的650 V SiC MOSFET
總結
SiC器件的快速開關和更低損耗使其成為高效、集成電動機驅動器的重要解決方案。如上所述，系統(tǒng)設計人員可縮小電動機驅動器的尺寸并使其更靠近電動機，以降低成本并提高可靠性。安森美半導體提供的用于SiC電機驅動器的廣泛且不斷擴增的器件和系統(tǒng)適用于廣泛的工業(yè)應用。
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