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縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別

發(fā)布時間:2019-10-15 責任編輯:lina

【導讀】晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
 
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
 
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。
 
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
 
晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
晶體管的優(yōu)越性
同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:
 
1、構件沒有消耗
無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。
 
2、消耗電能極少
僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產生自由電子。一臺晶體管收音機只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去,這對電子管收音機來說,是難以做到的。
 
3、不需預熱
一開機就工作。例如,晶體管收音機一開就響,晶體管電視機一開就很快出現(xiàn)畫面。電子管設備就做不到這一點。開機后,非得等一會兒才聽得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢的。
 
4、結實可靠
比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動,這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
晶體管的開關作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優(yōu)點,主要是;
(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,
(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,
(3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V,應有盡有.
 
幾年前,晶體管的開關能力還小于10kW。目前,它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力,改進了功率晶體管的性能。如:
(1)開關晶體管有效芯片面積的增加,
(2)技術上的簡化,
(3)晶體管的復合——達林頓,
(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、
 
(二)直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關
晶體管復合(達林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開關能力的方法。
 
在這樣的大功率電路中,存在的主要問題是布線。很高的開關速度能在很短的連接線上產生相當高的干擾電壓。
 
(三)簡單和優(yōu)化的基極驅動造就的高性能
今日的基極驅動電路不僅驅動功率晶體管,還保護功率晶體管,稱之為“非集中保護” (和集中保護對照)。集成驅動電路的功能包括:
 
(1)開通和關斷功率開關;
(2)監(jiān)控輔助電源電壓;
(3)限制最大和最小脈沖寬度;
(4)熱保護;
(5)監(jiān)控開關的飽和壓降。
 
集成NPN晶體管概述
在雙極型線性集成電路中NPN晶體管的用量最多,所以它的質量對電路性能的影響最大。集成NPN晶體管的結構示意圖如圖2—69所示。它是在P型襯底上擴散高摻雜的N+型掩埋層,生長N型外延層,擴散P型基區(qū)、N+型發(fā)射區(qū)和集電區(qū)而制成的。其中N+型掩埋層的作用是為了減小集電區(qū)的體電阻。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
(1)縱向PNP管:
縱向PNP管也稱襯底管,由于結構的關系,內部的載流子沿著縱向運動。這種管子的特點是,管子的基區(qū)寬度WB可以準確地控制,而且做得很薄。因此,縱向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α=0.995-0.9998)。
 
是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直方向運動的,故稱為縱向PNP管。這種管子的基區(qū)可準確地控制使其很薄,因此它的電流放大系數(shù)較大。由于縱向PNP管的集電極必須接到電路中電位的最低點,因而限制了它的應用。在電路中它通常作為射極跟隨器使用。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
(2)橫向PNP管:
這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的,故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制,基區(qū)寬度不可能很小,所以它的值相對較低,一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點是:
 
發(fā)射結和集電結都有較高的反向擊穿電壓,所以它的發(fā)射結允許施加較高的反壓;另外它在電路中的連接方式不受任何限制,所以比縱向PNP管有更多的用途。它的缺點是結電容較大,特征頻率fT較低,一般為幾~幾十兆赫。
 
在集成電路設計中,往往把橫向PNP和縱向PNP管巧妙地接成復合組態(tài),構成性能優(yōu)良的放大器。如鏡像電源、微電流源、有源負載、共基—共射、共基—共集放大器等。


 

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