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液晶面板價(jià)格或止跌回升
3月11日發(fā)生的日本9級(jí)大地震已經(jīng)過去一個(gè)多月，地震及海嘯對(duì)全球液晶面板產(chǎn)業(yè)鏈造成的影響正在顯現(xiàn)。盡管在中國(guó)市場(chǎng)日系彩電價(jià)格目前未見波動(dòng)，不過負(fù)面效應(yīng)不容忽視。日本液晶面板總體產(chǎn)能受限后，有可能改變最近兩個(gè)季度液晶面板供過于求、價(jià)格下跌的格局，這可能導(dǎo)致液晶面板價(jià)格回升。
2011-04-26
液晶面板 價(jià)格趨勢(shì) 地震 止跌 回升
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索尼將上市長(zhǎng)壽命快速充電鋰電池的蓄電模塊
索尼將于2011年4月下旬上市可用于緊急備份電源和多種定置式電源的鋰離子電池蓄電模塊。采用新開發(fā)的名為橄欖石型磷酸鐵鋰的材料，延長(zhǎng)了使用壽命，同時(shí)還可進(jìn)行快速充電。將應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心及住宅用等廣泛用途，以滿足因電力短缺對(duì)策而日益擴(kuò)大的蓄電池需求。
2011-04-26
索尼快速充電 鋰電池 蓄電模塊
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我國(guó)首個(gè)汽車物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在京成立
日前，以福田汽車為主的整車企業(yè)，聯(lián)合我國(guó)北斗衛(wèi)星位置服務(wù)供應(yīng)商、3G無線通訊供應(yīng)商、網(wǎng)絡(luò)軟件開發(fā)商、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備提供商等產(chǎn)業(yè)鏈資源，成立了以中國(guó)自主品牌為主的“北京汽車物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”。
2011-04-25
汽車物聯(lián)網(wǎng) 汽車物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 汽車物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)
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V型FT系列：松下電子推出表面封裝型鋁電解電容器
松下電子部品針對(duì)數(shù)字產(chǎn)品及車載產(chǎn)品中的電源平滑濾波用途，上市了“V型FT系列”表面封裝型鋁電解電容器。按照相同容量比較，該系列屬于業(yè)內(nèi)最?。ǔ叽纾?，并擁有最高級(jí)別的低ESR（等效串聯(lián)電阻）。
2011-04-25
V型FT系列 松下電子 表面封裝型 鋁電解電容器
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電動(dòng)汽車快速充電技術(shù)
綠色革命的一個(gè)重要體現(xiàn)是綠色交通，電動(dòng)汽車應(yīng)運(yùn)而生，其市場(chǎng)需求量也呈現(xiàn)出愈來愈大的趨勢(shì)。電動(dòng)汽車充電時(shí)間長(zhǎng)，充電難是電動(dòng)汽車推廣應(yīng)用的一個(gè)難題。因此，快速充電技術(shù)的研究對(duì)電動(dòng)汽車的發(fā)展影響重大，意義深遠(yuǎn)。目前，研究成果比較成熟的快速充電技術(shù)主要有智能化變脈沖充電技術(shù)和分段恒流...
2011-04-24
電動(dòng)汽車 快速充電 汽車電子
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瞬雷電子，安全電路保護(hù)專家
備受矚目的第77屆中國(guó)電子展于2011年4月8日-10日在深圳會(huì)展中心隆重開幕，本屆電子展以“新技術(shù)、新產(chǎn)品打造一站式采購(gòu)平臺(tái)”為主題。瞬雷電子也為此次展會(huì)精心準(zhǔn)備多時(shí)，攜帶公司最具優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品出席此次展會(huì)。
2011-04-22
瞬雷 電路保護(hù) 中國(guó)電子展
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5月面板價(jià)格上漲5%
日本地震后市場(chǎng)熱議面板供需走勢(shì)，隨著“五一”旺季來臨，二季度需求將考驗(yàn)市場(chǎng)供應(yīng)能力，面板價(jià)格5月起將上漲，首月漲幅約5%。
2011-04-22
面板 供應(yīng)能力 地震 產(chǎn)能
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1-2月電池制造行業(yè)銷售產(chǎn)值同比增63.19%
4月19日消息，工業(yè)和信息化部發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，2011年1-2月電池制造行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值累計(jì)同比增長(zhǎng)63.19%，出口交貨值累計(jì)同比增長(zhǎng)67.85%，累計(jì)產(chǎn)銷率97.51%。
2011-04-21
電池制造 新能源汽車 工信部
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HiSIM2被選為MOS晶體管模型的新標(biāo)準(zhǔn)
日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）宣布，其與廣島大學(xué)三浦研究室合作開發(fā)的電路模擬用MOS晶體管模型“HiSIM2：Hiroshima-university STARC IGFET Model 2”已成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
2011-04-21
MOS晶體管 日本半導(dǎo)體 新標(biāo)準(zhǔn)
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