你的位置:首頁 > 互連技術(shù) > 正文

繼電器的振動(dòng),可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞

發(fā)布時(shí)間:2018-03-16 來源:電子說 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】請(qǐng)注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí),不要將機(jī)械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時(shí),由于繼電器的啟動(dòng)時(shí)間短,產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt),這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。


潛在問題:
 
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),開關(guān)的開啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開關(guān)的短暫時(shí)間,高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管,并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對(duì)短路損壞。
 
Note:由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞。
 
 
預(yù)防措施:
 
1.使用一個(gè)雙極晶體管,用一個(gè)穩(wěn)壓二極管保護(hù)來限制振蕩電壓,其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負(fù)載的推薦值。
 
 
2.使用一個(gè)zener保護(hù)二極管,其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個(gè)擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。
 


 
 
 
推薦閱讀:
促進(jìn)粵港澳大灣區(qū)的創(chuàng)新意念及企業(yè)精神-艾睿電子創(chuàng)科論壇及展示會(huì) 
貿(mào)澤電子發(fā)布微信支付功能 -奪移動(dòng)支付高地 強(qiáng)化全支付用戶體驗(yàn)
思普達(dá)引入SAP 專為IC設(shè)計(jì)行業(yè)打造管理系統(tǒng)
一文讀懂,晶振為什么會(huì)發(fā)生停振? 
 
 
要采購(gòu)開關(guān)么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉